STMicroelectronics MOSFET, タイプNチャンネル 60 V, 12 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-252, STD12NF06LT4

MOSFET・モスフェット の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品

1 個(1個10個入り) 小計：*

￥1,685.00

(税抜)

￥1,853.50

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫あり
  • 2,070 は 2025年12月29日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個
単価
購入単位毎合計*
10 - 90￥168.50￥1,685
100 - 240￥160.00￥1,600
250 - 490￥148.30￥1,483
500 - 990￥136.30￥1,363
1000 +￥131.50￥1,315

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

梱包形態
RS品番:
151-907
メーカー型番:
STD12NF06LT4
メーカー/ブランド名:
STMicroelectronics
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

STMicroelectronics

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

12A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

60V

シリーズ

STripFET II

パッケージ型式

TO-252

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

90mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートソース電圧Vgs

±16 V

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

7.5nC

順方向電圧 Vf

1.5V

動作温度 Max

175°C

高さ

2.4mm

幅

6.6 mm

長さ

10.1mm

規格 / 承認

RoHS

自動車規格

なし

COO（原産国）:
CN
STマイクロエレクトロニクスのパワーMOSFETは、入力容量とゲート電荷を最小限に抑えるよう特別に設計されています。このため、このデバイスは、電気通信やコンピューター・アプリケーション向けの先進的な高効率絶縁型DC-DCコンバーターや、低ゲート電荷駆動が要求されるアプリケーションの一次スイッチとしての使用に適している。

卓越した dv/dt 能力

100%アバランシェ・テスト済み

低ゲート・チャージ

関連ページ