STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET600 V 400 mA 表面実装 パッケージSOT-223 3 ピン
- RS品番:
- 687-5131
- メーカー型番:
- STN1HNK60
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
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| 個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
| 10 - 190 | ￥157.70 | ￥1,577.00 |
| 200 - 1890 | ￥134.90 | ￥1,349.00 |
| 1900 - 2490 | ￥112.20 | ￥1,122.00 |
| 2500 - 3190 | ￥89.50 | ￥895.00 |
| 3200 + | ￥66.60 | ￥666.00 |
| * 購入単位ごとの価格 | ||
- RS品番:
- 687-5131
- メーカー型番:
- STN1HNK60
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
その他
詳細情報
NチャンネルMDmesh™ SuperMESH™、250 V → 650 V、STMicroelectronics
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
MOSFETトランジスタ、STMicroelectronics
仕様
特性 | |
|---|---|
| チャンネルタイプ | N |
| 最大連続ドレイン電流 | 400 mA |
| 最大ドレイン-ソース間電圧 | 600 V |
| パッケージタイプ | SOT-223 |
| シリーズ | MDmesh, SuperMESH |
| 実装タイプ | 表面実装 |
| ピン数 | 3 |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗 | 8.5 Ω |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 |
| 最大ゲートしきい値電圧 | 3.7V |
| 最低ゲートしきい値電圧 | 2.25V |
| 最大パワー消費 | 3.3 W |
| トランジスタ構成 | シングル |
| 最大ゲート-ソース間電圧 | -30 V, +30 V |
| 標準ゲートチャージ @ Vgs | 7 nC @ 10 V |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 1 |
| 長さ | 6.5mm |
| トランジスタ素材 | Si |
| 幅 | 3.5mm |
| 動作温度 Max | +150 °C |
| 高さ | 1.8mm |
| 動作温度 Min | -55 °C |
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