STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET800 V 250 mA 表面実装 パッケージSOT-223 3 ピン
- RS品番:
- 714-1076
- メーカー型番:
- STN1NK80Z
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
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| 個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
| 10 - 190 | ￥186.90 | ￥1,869.00 |
| 200 - 1890 | ￥159.30 | ￥1,593.00 |
| 1900 - 2490 | ￥131.80 | ￥1,318.00 |
| 2500 - 3190 | ￥104.20 | ￥1,042.00 |
| 3200 + | ￥76.60 | ￥766.00 |
| * 購入単位ごとの価格 | ||
- RS品番:
- 714-1076
- メーカー型番:
- STN1NK80Z
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
その他
詳細情報
STMicroelectronics N チャネル MDmesh ™ SuperMESH ™ 700 V → 1200 V
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
MOSFETトランジスタ、STMicroelectronics
仕様
特性 | |
|---|---|
| チャンネルタイプ | N |
| 最大連続ドレイン電流 | 250 mA |
| 最大ドレイン-ソース間電圧 | 800 V |
| シリーズ | MDmesh, SuperMESH |
| パッケージタイプ | SOT-223 |
| 実装タイプ | 表面実装 |
| ピン数 | 3 |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗 | 16 Ω |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 |
| 最大ゲートしきい値電圧 | 4.5V |
| 最低ゲートしきい値電圧 | 3V |
| 最大パワー消費 | 2500 mW |
| トランジスタ構成 | シングル |
| 最大ゲート-ソース間電圧 | -30 V, +30 V |
| 幅 | 3.5mm |
| 動作温度 Max | +150 °C |
| 長さ | 6.5mm |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 1 |
| 標準ゲートチャージ @ Vgs | 7.7 nC @ 10 V |
| トランジスタ素材 | Si |
| 高さ | 1.8mm |
| 動作温度 Min | -55 °C |
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