Infineon MOSFET, Nチャンネル, 150 V, 104 A, 11 mΩ, 77 nC, 3ピン, パッケージ：TO-220
- RS品番:
- 688-6932
- Distrelec 品番:
- 304-29-286
- メーカー型番:
- IRFB4115PBF
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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- RS品番:
- 688-6932
- Distrelec 品番:
- 304-29-286
- メーカー型番:
- IRFB4115PBF
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| チャンネルタイプ | N | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 104A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 150V | |
| パッケージ型式 | TO-220 | |
| シリーズ | HEXFET | |
| 取付タイプ | スルーホール | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 11mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | -20V, +20V | |
| 最大許容損失Pd | 380W | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 77nC | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 順方向電圧 Vf | 1.3V | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 長さ | 10.67mm | |
| 高さ | 9.02mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 幅 | 4.83mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
チャンネルタイプ N | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 104A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 150V | ||
パッケージ型式 TO-220 | ||
シリーズ HEXFET | ||
取付タイプ スルーホール | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 11mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大ゲートソース電圧Vgs -20V, +20V | ||
最大許容損失Pd 380W | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 77nC | ||
動作温度 Min -55°C | ||
順方向電圧 Vf 1.3V | ||
動作温度 Max 175°C | ||
長さ 10.67mm | ||
高さ 9.02mm | ||
規格 / 承認 No | ||
幅 4.83mm | ||
自動車規格 なし | ||
インフィニオン HEXFETシリーズMOSFET、最大ドレイン-ソース間電圧 150V、最大連続ドレイン電流 104A - IRFB4115PBF
このMOSFETは、要求の厳しい電子システムでのスイッチングおよび電力変換用途向けに設計された高出力Nチャネルエンハンスメント型デバイスです。過酷な環境に対応する広い動作温度範囲を備え、ヒートシンクへの取り付けや実装が容易なTO-220スルーホールパッケージで提供されます。このデバイスは大きな連続ドレイン電流に対応し、高電流を効率的に扱う必要がある高速スイッチング用途に適しています。
特長:
• 最大ドレイン電圧150Vにより、高電圧スイッチングを実現
• 連続ドレイン電流 104A により高負荷に対応
• 11mΩ の低いRDS(on)により、大電流時の導通損失を低減
• 許容損失 380W により持続的な熱負荷に対応
• 標準ゲート電荷 77nC により高速なスイッチング遷移が可能
• 順方向電圧 1.3V によりダイオード導通時の電圧降下を低減
• 連続ドレイン電流 104A により高負荷に対応
• 11mΩ の低いRDS(on)により、大電流時の導通損失を低減
• 許容損失 380W により持続的な熱負荷に対応
• 標準ゲート電荷 77nC により高速なスイッチング遷移が可能
• 順方向電圧 1.3V によりダイオード導通時の電圧降下を低減
用途
• Infineon HEXFET 150V MOSFET TO-220モータドライバに最適
• スイッチング電源用の 150V、104A MOSFETに最適
• 高出力Nチャネルエンハンスメント型MOSFET回路に使用
• TO-220スルーホールMOSFETの 380W パワー段に使用可能
• スイッチング電源用の 150V、104A MOSFETに最適
• 高出力Nチャネルエンハンスメント型MOSFET回路に使用
• TO-220スルーホールMOSFETの 380W パワー段に使用可能
設計時に守る必要があるゲート電圧の制限値はどのくらいですか？
ゲート-ソース間定格電圧は ±20V のため、ゲートの損傷を防ぐには、駆動回路でVGSをこの範囲内に維持する必要があります。
このデバイスは極端な温度条件下でどのように動作しますか？
-55°C～175°C で動作し、この範囲の周囲温度および接合部温度条件下で電気的特性を維持します。
実装方式とピン数について、どのような点を考慮する必要がありますか？
この部品は3ピン構成で、ヒートシンクに確実に取り付けられるTO-220スルーホール実装用です。
どのチャネルタイプと導通モードを採用していますか？
Nチャネルエンハンスメント型デバイスで、オンにするにはソースに対してゲートに正電圧を印加する必要があります。
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