Infineon MOSFET, Nチャンネル, 100 V, 97 A, 9 mΩ, 83 nC, 3ピン, パッケージ：TO-220
- RS品番:
- 688-6954
- メーカー型番:
- IRFB4410ZPBF
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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- RS品番:
- 688-6954
- メーカー型番:
- IRFB4410ZPBF
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
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詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| チャンネルタイプ | N | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 97A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 100V | |
| パッケージ型式 | TO-220 | |
| シリーズ | HEXFET | |
| 取付タイプ | スルーホール | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 9mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 83nC | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大許容損失Pd | 230W | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20V | |
| 順方向電圧 Vf | 1.3V | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 幅 | 4.82mm | |
| 長さ | 10.66mm | |
| 高さ | 9.02mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
チャンネルタイプ N | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 97A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 100V | ||
パッケージ型式 TO-220 | ||
シリーズ HEXFET | ||
取付タイプ スルーホール | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 9mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 83nC | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大許容損失Pd 230W | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20V | ||
順方向電圧 Vf 1.3V | ||
動作温度 Max 175°C | ||
規格 / 承認 No | ||
幅 4.82mm | ||
長さ 10.66mm | ||
高さ 9.02mm | ||
自動車規格 なし | ||
Infineon HEXFETシリーズMOSFET、最大ドレイン・ソース間電圧100 V、最大連続ドレイン電流97 A - IRFB4410ZPBF
このMOSFETは、パワーエレクトロニクスアセンブリのスルーホール実装用に設計された高出力スイッチングトランジスタです。Nチャンネルエンハンスメント型デバイスで、幅広い周囲温度範囲において大きな連続ドレイン電流と高いドレイン・ソース間電圧に対応できるため、厳しい温度環境や一般的なヒートシンク構成に適しています。
特長：
• 100 Vのドレイン・ソース間電圧により、高電圧スイッチングが可能
• 97 Aの連続電流により、高負荷用途に対応
• 9 mΩのRDS(on)により、動作時の導通損失を最小限に抑制
• 230Wの許容電力により、持続的な高出力使用が可能
• 83 nCの標準ゲート電荷により、予測可能なスイッチングエネルギーを実現
• 20 Vのゲート耐圧により、十分なゲート駆動マージンを確保
• 97 Aの連続電流により、高負荷用途に対応
• 9 mΩのRDS(on)により、動作時の導通損失を最小限に抑制
• 230Wの許容電力により、持続的な高出力使用が可能
• 83 nCの標準ゲート電荷により、予測可能なスイッチングエネルギーを実現
• 20 Vのゲート耐圧により、十分なゲート駆動マージンを確保
用途
• 産業用モータ駆動インバータステージに最適
• 大電流DC-DCコンバータおよび電源に最適
• 通信機器およびサーバー用電源のパワースイッチングに使用
• バッテリ管理および充電システムに使用可能
• ラボでのパワーエレクトロニクスの試作に最適
• 大電流DC-DCコンバータおよび電源に最適
• 通信機器およびサーバー用電源のパワースイッチングに使用
• バッテリ管理および充電システムに使用可能
• ラボでのパワーエレクトロニクスの試作に最適
実装および冷却にはどのようなパッケージタイプが採用されていますか？
TO-220スルーホールパッケージで提供され、確実な基板実装と熱管理用のヒートシンクへの簡単な取り付けを実現します。
スイッチング性能に関して、ゲート駆動ではどのような点を考慮する必要がありますか？
標準ゲート電圧での標準総ゲート電荷は83 nCです
スイッチング損失を管理しながら目標とするスイッチング速度を達成できるよう、十分な電流をソースおよびシンクできるゲートドライバを設計してください。
ジャンクション温度範囲は、使用条件にどのような影響を与えますか？
このデバイスの定格動作温度範囲は-55°C～175°Cで、適切な熱設計を行うことで、周囲温度およびジャンクション温度が広範囲に変化する用途で使用できます。
導通時の順方向電圧と、それによる影響は何ですか？
規定条件下での順方向導通電圧は1.3 Vで、熱設計および電力バジェットを決定する際の総導通損失の計算に影響します。
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