Infineon MOSFET, タイプPチャンネル, 250 V, 190 mA, 20 Ω, 4.9 nC, 3ピン, パッケージ：SOT-89
- RS品番:
- 753-2848
- メーカー型番:
- BSS192PH6327FTSA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
ボリュームディスカウント対象商品
一括購入価格オプションを表示1 袋(1袋10個入り) 小計：*
￥989.00
(税抜)
￥1,087.90
(税込)
3,000円を超える注文については、送料無料
在庫あり
- 760 は海外在庫あり
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | ￥98.90 | ￥989 |
| 50 - 440 | ￥86.00 | ￥860 |
| 450 - 590 | ￥74.00 | ￥740 |
| 600 - 790 | ￥62.70 | ￥627 |
| 800 + | ￥50.00 | ￥500 |
* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。
- RS品番:
- 753-2848
- メーカー型番:
- BSS192PH6327FTSA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプP | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 190mA | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 250V | |
| シリーズ | SIPMOS | |
| パッケージ型式 | SOT-89 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 20Ω | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 順方向電圧 Vf | -1.1V | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 4.9nC | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20V | |
| 最大許容損失Pd | 1W | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 長さ | 4.5mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 幅 | 2.5mm | |
| 高さ | 1.5mm | |
| 自動車規格 | AEC-Q101 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプP | ||
最大連続ドレイン電流Id 190mA | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 250V | ||
シリーズ SIPMOS | ||
パッケージ型式 SOT-89 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 20Ω | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
動作温度 Min -55°C | ||
順方向電圧 Vf -1.1V | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 4.9nC | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20V | ||
最大許容損失Pd 1W | ||
動作温度 Max 150°C | ||
長さ 4.5mm | ||
規格 / 承認 No | ||
幅 2.5mm | ||
高さ 1.5mm | ||
自動車規格 AEC-Q101 | ||
Infineon SIPMOSシリーズMOSFET、最大ドレイン・ソース間電圧250 V、最大連続ドレイン電流190 mA - BSS192PH6327FTSA1
このMOSFETは、要求の厳しい電気環境における表面実装型パワースイッチング向けに設計されたPチャンネルデバイスです。制御された高電圧スイッチングと低い連続電流容量を必要とする用途に適したエンハンスメント型トランジスタで、幅広い温度範囲で動作し、規制対象システムや自動車用電子機器での使用に適しています。
特長：
• 250 Vのドレイン・ソース間定格電圧により、高電圧スイッチングが可能
• 190 mAの連続ドレイン電流により、低電流負荷の制御に対応
• 最大20 ΩのRDSにより、低電流回路での導通損失を低減
• VGSにおける4.9 nCの標準ゲート電荷により、予測可能なスイッチング動作を実現
• 20 Vのゲート・ソース間電圧制限により、シンプルなゲート駆動設計が可能
• 最大許容損失1 Wにより、コンパクトなレイアウトでの熱的制約に対応
• 190 mAの連続ドレイン電流により、低電流負荷の制御に対応
• 最大20 ΩのRDSにより、低電流回路での導通損失を低減
• VGSにおける4.9 nCの標準ゲート電荷により、予測可能なスイッチング動作を実現
• 20 Vのゲート・ソース間電圧制限により、シンプルなゲート駆動設計が可能
• 最大許容損失1 Wにより、コンパクトなレイアウトでの熱的制約に対応
用途
• 自動車用センサーの電源経路のスイッチングに最適
• 低電力逆極性保護回路に最適
• 高電圧バッテリ管理サブシステムに使用
• 制御モジュールの小型リレーの代替として使用可能
• コンパクトな基板上での表面実装型配電に最適
• 低電力逆極性保護回路に最適
• 高電圧バッテリ管理サブシステムに使用
• 制御モジュールの小型リレーの代替として使用可能
• コンパクトな基板上での表面実装型配電に最適
過酷な環境では、どの程度の温度範囲に対応できますか？
-55°C～150°Cで確実に動作し、幅広い温度環境に対応します。
基板レイアウト用のパッケージには何本のピンがありますか？
このコンポーネントは3本のピンを備え、標準的なSOT-89フットプリントでの配線が可能です。
実装にはどのようなパッケージタイプを想定する必要がありますか？
コンパクトな基板設計向けのSOT-89表面実装パッケージで提供されます。
このデバイスは車載用途の認定規格に適合していますか？
AEC-Q101に準拠し、自動車用途向けの業界標準のストレス試験要件を満たしています。
関連ページ
- Infineon MOSFET 250 V 20 Ω 3ピン, パッケージ：SOT-89
- Infineon MOSFET 600 V 45 Ω パッケージ：SOT-89
- Infineon MOSFET 240 V 7.5 Ω 3ピン, パッケージ：SOT-89
- Infineon MOSFET 100 V 10 Ω 3ピン, パッケージ：SOT-23
- Infineon MOSFET 60 V 90 mΩ 4ピン, パッケージ：SOT-89
- Infineon MOSFET 60 V 12 Ω 3ピン, パッケージ：SOT-23
- Infineon MOSFET 60 V 3 Ω 3ピン, パッケージ：SOT-23
- Infineon MOSFET 20 V 280 mΩ 3ピン, パッケージ：SOT-23