インフィニオン MOSFET, Nチャンネル, 200 mA, 表面実装, 3 ピン, SN7002NH6327XTSA1

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梱包形態
RS品番:
753-3134
メーカー型番:
SN7002NH6327XTSA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

N

最大連続ドレイン電流

200 mA

最大ドレイン-ソース間電圧

60 V

シリーズ

SIPMOS

パッケージタイプ

SOT-23

実装タイプ

表面実装

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗

7.5 Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートしきい値電圧

1.8V

最低ゲートしきい値電圧

0.8V

最大パワー消費

360 mW

トランジスタ構成

シングル

最大ゲート-ソース間電圧

-20 V, +20 V

動作温度 Max

+150 °C

標準ゲートチャージ @ Vgs

1 nC @ 10 V

長さ

2.9mm

1チップ当たりのエレメント数

1

トランジスタ素材

Si

幅

1.3mm

高さ

1mm

動作温度 Min

-55 °C

Infineon SIPMOS® NチャンネルMOSFET



MOSFETトランジスタ、Infineon


Infineonでは、CoolMOS、OptiMOS、StrongIRFETの各ファミリをはじめ、MOSFETデバイスの幅広く包括的な製品ラインを取り揃えています。効率、電力密度、及びコスト効果を高めるためにクラス最高の性能を実現しています。高い品質と強化された保護機能が求められる設計では、AEC-Q101車載用規格に適合するMOSFETが活用されます。

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