Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 60 V, 200 mA エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージSOT-23

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RS品番:
214-4475
メーカー型番:
SN7002NH6327XTSA2
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

200mA

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

60V

シリーズ

SIPMOS

パッケージ型式

SOT-23

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

5Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大許容損失Pd

0.36W

最大ゲートソース電圧Vgs

60 V

動作温度 Min

-55°C

順方向電圧 Vf

1.2V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

1.5nC

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

IEC61249-2-21, AEC Q101

自動車規格

なし

Infineon の SIPMOS 小型信号 MOSFET は、スペースに制約のある車載用途や非車載用途に最適です。バッテリ保護、バッテリ充電、 LED 照明など、ほぼすべての用途で使用されています。

IEC61249-2-21 に準拠したハロゲンフリーです

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