Infineon MOSFET, Nチャンネル, 60 V, 200 mA, 5 Ω, 1.5 nC, 3ピン, パッケージ:SOT-23

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RS品番:
214-4475
メーカー型番:
SN7002NH6327XTSA2
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

N

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

200mA

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

60V

パッケージ型式

SOT-23

シリーズ

SIPMOS

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

5Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

1.5nC

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

0.36W

順方向電圧 Vf

1.2V

最大ゲートソース電圧Vgs

60V

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

IEC61249-2-21, AEC Q101

自動車規格

なし

インフィニオンSIPMOSシリーズMOSFET、ドレイン-ソース間電圧 60V、ドレイン-ソース間抵抗 5Ω - SN7002NH6327XTSA2


このMOSFETは、表面実装アセンブリのスイッチングおよび制御用途向けに設計された小信号Nチャンネルトランジスタです。エンハンスメントモードデバイスとして動作し、幅広い周囲温度範囲に耐えるよう設計されているため、小型で耐熱性に優れたスイッチング部品を必要とする電子機器に適しています。

特長:


• ドレイン電圧 60V により、高電圧スイッチングに対応
• Rds(on) 5Ω により、制御された低電流導通を実現
• 連続ドレイン電流 200mA により、小信号負荷に対応
• 順方向電圧 1.2V により、予測可能なダイオード電圧降下を実現
• 標準ゲート電荷 1.5nC により、高速なゲート遷移を実現
• 許容電力 0.36W により、中程度の熱負荷に対応

用途


• バッテリ管理の信号スイッチング回路に適合
• 家電製品の低電流電力経路に最適
• 小型モータードライバのインターフェース回路に使用
• レベルシフトおよび信号マルチプレクシングに使用可能
• センサー信号調整および信号絶縁の用途に適合

プリント基板の組立にはどのようなパッケージと実装方式を使用しますか?


SOT-23パッケージで提供され、表面実装向けです。

過酷な環境の極端な温度下でどのような性能を発揮しますか?


-55°C~150°C で動作し、さまざまな温度条件下で安定した性能を発揮します。

設計時にはどのようなゲート電圧とドレイン電圧の制限を守る必要がありますか?


ゲート-ソース間電圧とドレイン-ソース間電圧はいずれも 60V に制限されており、これが最大印加電圧となります。

この部品に関連する業界の材料規格やプロセス規格はありますか?


IEC 61249-2-21に準拠し、車載認定相当としてAEC Q101に適合しています。

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