インフィニオン MOSFET, Nチャンネル, 53 A, 表面実装, 8 ピン, BSC080N03MSGATMA1

MOSFET・モスフェット の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品

1 袋(1袋5個入り) 小計：*

￥456.00

(税抜)

￥501.60

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫が表示されていない場合があります。ページの再読み込みをお試しください。
個
単価
購入単位毎合計*
5 - 20￥91.20￥456
25 +￥86.60￥433

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

梱包形態
RS品番:
754-5288
メーカー型番:
BSC080N03MSGATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

N

最大連続ドレイン電流

53 A

最大ドレイン-ソース間電圧

30 V

シリーズ

OptiMOS 3

パッケージタイプ

TDSON

実装タイプ

表面実装

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗

10.2 mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートしきい値電圧

2V

最低ゲートしきい値電圧

1V

最大パワー消費

35 W

トランジスタ構成

シングル

最大ゲート-ソース間電圧

-20 V, +20 V

1チップ当たりのエレメント数

1

トランジスタ素材

Si

幅

6.1mm

標準ゲートチャージ @ Vgs

21 nC @ 10 V

長さ

5.35mm

動作温度 Max

+150 °C

高さ

1.1mm

動作温度 Min

-55 °C

Infineon OptiMOS™3パワーMOSFET、最大40 V


OptiMOS™製品は、最も困難な用途にも対応できるよう高性能なパッケージに収納されています。このため、限られたスペースで最大限に柔軟性を発揮できます。 これらのInfineon製品は、コンピューティング用途における次世代の厳しい電圧調整規格のエネルギー効率と電力密度の要件に適合し、上回るように設計されています。

高速スイッチングMOSFET、SMPS用
DC/DCコンバータ用に最適化された技術
対象用途に対してJEDEC1に適合
Nチャンネル、ロジックレベル
優れたゲート電荷量 x R DS(on)製品(FOM)
超低オン抵抗 R DS(on)
鉛フリーめっき


MOSFETトランジスタ、Infineon


Infineonでは、CoolMOS、OptiMOS、StrongIRFETの各ファミリをはじめ、MOSFETデバイスの幅広く包括的な製品ラインを取り揃えています。効率、電力密度、及びコスト効果を高めるためにクラス最高の性能を実現しています。高い品質と強化された保護機能が求められる設計では、AEC-Q101車載用規格に適合するMOSFETが活用されます。

関連ページ