インフィニオン MOSFETトランジスタ, Nチャンネル, 35 A, スルーホール, 3 ピン, IPP096N03L G

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RS品番:
754-5493
メーカー型番:
IPP096N03L G
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

N

最大連続ドレイン電流

35 A

最大ドレイン-ソース間電圧

30 V

パッケージタイプ

TO-220

シリーズ

OptiMOS™ 3

実装タイプ

スルーホール

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗

14.4 mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートしきい値電圧

2.2V

最低ゲートしきい値電圧

1V

最大パワー消費

42 W

トランジスタ構成

シングル

最大ゲート-ソース間電圧

-20 V, +20 V

トランジスタ素材

Si

長さ

10.36mm

1チップ当たりのエレメント数

1

動作温度 Max

+175 °C

幅

15.95mm

標準ゲートチャージ @ Vgs

7.4 nC @ 4.5 V

動作温度 Min

-55 °C

高さ

4.57mm

Infineon OptiMOS™3パワーMOSFET、最大40 V


OptiMOS™製品は、最も困難な用途にも対応できるよう高性能なパッケージに収納されています。このため、限られたスペースで最大限に柔軟性を発揮できます。 これらのInfineon製品は、コンピューティング用途における次世代の厳しい電圧調整規格のエネルギー効率と電力密度の要件に適合し、上回るように設計されています。

高速スイッチングMOSFET、SMPS用
DC/DCコンバータ用に最適化された技術
対象用途に対してJEDEC1に適合
Nチャンネル、ロジックレベル
優れたゲート電荷量 x R DS(on)製品(FOM)
超低オン抵抗 R DS(on)
鉛フリーめっき


MOSFETトランジスタ、Infineon


Infineonでは、CoolMOS、OptiMOS、StrongIRFETの各ファミリをはじめ、MOSFETデバイスの幅広く包括的な製品ラインを取り揃えています。効率、電力密度、及びコスト効果を高めるためにクラス最高の性能を実現しています。高い品質と強化された保護機能が求められる設計では、AEC-Q101車載用規格に適合するMOSFETが活用されます。

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