Toshiba MOSFET, Nチャンネル, 13 A, 表面実装, 8 ピン, TPC8065-H,LQ(S
- RS品番:
- 756-3804
- メーカー型番:
- TPC8065-H,LQ(S
- メーカー/ブランド名:
- Toshiba
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- RS品番:
- 756-3804
- メーカー型番:
- TPC8065-H,LQ(S
- メーカー/ブランド名:
- Toshiba
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Toshiba | |
| チャンネルタイプ | N | |
| 最大連続ドレイン電流 | 13 A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧 | 30 V | |
| パッケージタイプ | SOIC | |
| 実装タイプ | 表面実装 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗 | 14.7 mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大ゲートしきい値電圧 | 2.3V | |
| 最大パワー消費 | 1.9 W | |
| トランジスタ構成 | シングル | |
| 最大ゲート-ソース間電圧 | -20 V, +20 V | |
| トランジスタ素材 | Si | |
| 幅 | 3.9mm | |
| 動作温度 Max | +150 °C | |
| 長さ | 4.9mm | |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 1 | |
| 標準ゲートチャージ @ Vgs | 20 nC @ 10 V | |
| 高さ | 1.52mm | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Toshiba | ||
チャンネルタイプ N | ||
最大連続ドレイン電流 13 A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧 30 V | ||
パッケージタイプ SOIC | ||
実装タイプ 表面実装 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗 14.7 mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大ゲートしきい値電圧 2.3V | ||
最大パワー消費 1.9 W | ||
トランジスタ構成 シングル | ||
最大ゲート-ソース間電圧 -20 V, +20 V | ||
トランジスタ素材 Si | ||
幅 3.9mm | ||
動作温度 Max +150 °C | ||
長さ 4.9mm | ||
1チップ当たりのエレメント数 1 | ||
標準ゲートチャージ @ Vgs 20 nC @ 10 V | ||
高さ 1.52mm | ||
- COO（原産国）:
- JP
MOSFET Nチャンネル、TPCxxxx、東芝
MOSFETトランジスタ、東芝