onsemi MOSFET, タイプNチャンネル 150 V, 79 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-263, FDB2532

ボリュームディスカウント対象商品

1個小計:*

¥760.00

(税抜)

¥836.00

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫情報に現在アクセスできません - 後ほどご確認ください
単価
1 - 24¥760
25 - 239¥678
240 - 319¥593
320 - 639¥511
640 +¥428

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

梱包形態
RS品番:
759-8951
メーカー型番:
FDB2532
メーカー/ブランド名:
onsemi
製品情報(複数選択可)を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

onsemi

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

79A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

150V

シリーズ

PowerTrench

パッケージ型式

TO-263

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

48mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

82nC

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

最大許容損失Pd

310W

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

No

長さ

10.67mm

11.33 mm

高さ

4.83mm

自動車規格

なし

自動車用NチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor


Fairchild Semiconductorは、品質、安全性、信頼性の基準を徹底的に遵守することで、自動車市場における複雑な課題を解決するソリューションを提供しています。

MOSFET トランジスタ、 ON Semi


ON Semi は、高電圧>( 250 V )<タイプと低電圧( 250 V )タイプを含む、充実した MOSFET デバイスポートフォリオを提供しています。高度なシリコン技術により、複数の業界標準に組み込まれ、熱耐性強化パッケージに収納された小さなダイサイズが実現します。

ON Semi MOSFET は、電圧スパイクの低減とオーバーシュート、ジャンクション容量の低減と逆回復電荷に対する設計の信頼性に優れており、追加の外部コンポーネントを排除してシステムの稼働時間を延長します。

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。


関連ページ