onsemi MOSFET, タイプNチャンネル 100 V, 3.4 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージSOIC, FDS86106
- RS品番:
- 759-9686
- メーカー型番:
- FDS86106
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
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|---|---|---|
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| 1200 - 1595 | ￥183.60 | ￥918 |
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- RS品番:
- 759-9686
- メーカー型番:
- FDS86106
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | onsemi | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 3.4A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 100V | |
| パッケージ型式 | SOIC | |
| シリーズ | PowerTrench | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 177mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大許容損失Pd | 5W | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 3nC | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 順方向電圧 Vf | 1.3V | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20 V | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 高さ | 1.5mm | |
| 幅 | 5 mm | |
| 長さ | 4mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド onsemi | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 3.4A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 100V | ||
パッケージ型式 SOIC | ||
シリーズ PowerTrench | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 177mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大許容損失Pd 5W | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 3nC | ||
動作温度 Min -55°C | ||
順方向電圧 Vf 1.3V | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20 V | ||
動作温度 Max 150°C | ||
高さ 1.5mm | ||
幅 5 mm | ||
長さ 4mm | ||
規格 / 承認 No | ||
自動車規格 なし | ||
Fairchild Semiconductor PowerTrench® NチャンネルMOSFET 最大9.9 A
MOSFET トランジスタ、 ON Semi
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