onsemi MOSFET, タイプNチャンネル 100 V, 11.2 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージSOIC, FDS86140

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梱包形態
RS品番:
759-9689
メーカー型番:
FDS86140
メーカー/ブランド名:
onsemi
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ブランド

onsemi

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

11.2A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

100V

シリーズ

PowerTrench

パッケージ型式

SOIC

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

17mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

29nC

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

5W

順方向電圧 Vf

0.8V

動作温度 Max

150°C

5 mm

高さ

1.5mm

規格 / 承認

No

長さ

4mm

自動車規格

なし

PowerTrench® NチャンネルMOSFET、10 → 19.9 A、Fairchild Semiconductor


MOSFET トランジスタ、 ON Semi


ON Semi は、高電圧>( 250 V )<タイプと低電圧( 250 V )タイプを含む、充実した MOSFET デバイスポートフォリオを提供しています。高度なシリコン技術により、複数の業界標準に組み込まれ、熱耐性強化パッケージに収納された小さなダイサイズが実現します。

ON Semi MOSFET は、電圧スパイクの低減とオーバーシュート、ジャンクション容量の低減と逆回復電荷に対する設計の信頼性に優れており、追加の外部コンポーネントを排除してシステムの稼働時間を延長します。

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