onsemi MOSFET, タイプNチャンネル 30 V, 6.3 A エンハンスメント型, 表面, 6-Pin パッケージSSOT, FDC655BN
- RS品番:
- 761-4426
- メーカー型番:
- FDC655BN
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
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個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 10 - 140 | ￥62.40 | ￥624 |
| 150 - 1390 | ￥53.60 | ￥536 |
| 1400 - 1890 | ￥46.20 | ￥462 |
| 1900 - 2390 | ￥38.30 | ￥383 |
| 2400 + | ￥30.70 | ￥307 |
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- RS品番:
- 761-4426
- メーカー型番:
- FDC655BN
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | onsemi | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 6.3A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 30V | |
| シリーズ | PowerTrench | |
| パッケージ型式 | SSOT | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 6 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 36mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 9nC | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20 V | |
| 最大許容損失Pd | 1.6W | |
| 順方向電圧 Vf | 1.2V | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 長さ | 3mm | |
| 高さ | 1mm | |
| 幅 | 1.7 mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド onsemi | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 6.3A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 30V | ||
シリーズ PowerTrench | ||
パッケージ型式 SSOT | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 6 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 36mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 9nC | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20 V | ||
最大許容損失Pd 1.6W | ||
順方向電圧 Vf 1.2V | ||
動作温度 Max 150°C | ||
長さ 3mm | ||
高さ 1mm | ||
幅 1.7 mm | ||
規格 / 承認 No | ||
自動車規格 なし | ||
Fairchild Semiconductor PowerTrench® NチャンネルMOSFET 最大9.9 A
MOSFET トランジスタ、 ON Semi
ON Semi は、高電圧>（ 250 V ）<タイプと低電圧（ 250 V ）タイプを含む、充実した MOSFET デバイスポートフォリオを提供しています。高度なシリコン技術により、複数の業界標準に組み込まれ、熱耐性強化パッケージに収納された小さなダイサイズが実現します。
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