onsemi Nチャンネル MOSFET60 V 18 A 表面実装 パッケージDPAK (TO-252) 3 ピン
- RS品番:
- 773-7875
- メーカー型番:
- NTD18N06LT4G
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
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| 個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
| 5 - 120 | ￥182.00 | ￥910.00 |
| 125 - 1195 | ￥176.60 | ￥883.00 |
| 1200 - 1595 | ￥129.00 | ￥645.00 |
| 1600 - 1995 | ￥105.20 | ￥526.00 |
| 2000 + | ￥81.40 | ￥407.00 |
| * 購入単位ごとの価格 | ||
- RS品番:
- 773-7875
- メーカー型番:
- NTD18N06LT4G
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
その他
詳細情報
ON Semiconductor NチャンネルパワーMOSFET 60V
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
MOSFETトランジスタ、ON Semiconductor
仕様
特性 | |
|---|---|
| チャンネルタイプ | N |
| 最大連続ドレイン電流 | 18 A |
| 最大ドレイン-ソース間電圧 | 60 V |
| パッケージタイプ | DPAK (TO-252) |
| 実装タイプ | 表面実装 |
| ピン数 | 3 |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗 | 65 mΩ |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 |
| 最大ゲートしきい値電圧 | 2V |
| 最大パワー消費 | 55 W |
| トランジスタ構成 | シングル |
| 最大ゲート-ソース間電圧 | -15 V, +15 V |
| トランジスタ素材 | Si |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 1 |
| 幅 | 6.22mm |
| 標準ゲートチャージ @ Vgs | 11 nC @ 5 V |
| 長さ | 6.73mm |
| 動作温度 Max | +175 °C |
| 動作温度 Min | -55 °C |
| 高さ | 2.38mm |
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