インフィニオン MOSFET, Nチャンネル, 4.9 A, 表面実装, 8 ピン, IRF7303PBF

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RS品番:
540-9862
メーカー型番:
IRF7303PBF
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

N

最大連続ドレイン電流

4.9 A

最大ドレイン-ソース間電圧

30 V

シリーズ

HEXFET

パッケージタイプ

SOIC

実装タイプ

表面実装

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗

50 mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートしきい値電圧

1V

最低ゲートしきい値電圧

1V

最大パワー消費

2 W

トランジスタ構成

絶縁型

最大ゲート-ソース間電圧

-20 V, +20 V

1チップ当たりのエレメント数

2

標準ゲートチャージ @ Vgs

25 nC @ 10 V

トランジスタ素材

Si

幅

4mm

動作温度 Max

+150 °C

長さ

5mm

動作温度 Min

-55 °C

高さ

1.5mm

インフィニオンHEXFETシリーズ MOSFET、最大連続ドレイン電流4.9A、最大許容損失2W - IRF7303TRPBF


このNチャネルMOSFETは、様々な電子アプリケーションにおける効率的な電力管理のために設計されています。最大連続ドレイン電流4.9A、ドレイン・ソース間電圧30Vで、さまざまな環境で高い性能を発揮する。表面実装が可能なため、スペース効率と熱性能が重視される小型回路設計に適している。この装置は、オートメーションとエレクトロニクスにおける信頼性と有効性を実証している。

特徴と利点


• 80mΩの低Rds(on)で効率を向上

• 最大2Wの高い電力消費能力

• 設計の機能性を高めるデュアル・チャンネル統合

• 多様なアプリケーションのための+150℃までの堅牢な熱動作

• エンハンスメント・モード運転に最適化し、エネルギー管理を改善

• コンパクトなSOICパッケージにより、最新のPCBへの組み込みが容易

用途


• 電圧調整用電源回路に使用

• 効率的な運転のためのモーター制御システムに採用

• 照明に適している 堅牢なスイッチングが必要

• 消費者向け電子機器に組み込んで電力効率を改善

• 信頼性の高い性能を必要とする自動車システムに最適

このデバイスの最大ゲート・ソース間電圧は？


最大ゲート・ソース間電圧は±20Vで、各種制御回路との互換性を確保している。

Rds(on)の値は効率にどのような影響を与えますか？


Rds(on)が低いほど、動作中の電力損失が減少し、アプリケーションの全体的な効率が向上する。

極端な温度でも作動するのか？


はい、-55℃から+150℃の温度範囲で動作し、過酷な環境に適しています。

どのようなサーキットボードに対応していますか？


表面実装技術（SMT）回路基板用に設計されており、スペースを効率的に利用できる。

このコンポーネントの取り付けはどのように行うべきか？


熱による損傷を避け、PCBへの確実な取り付けを確実にするため、適切なはんだ付け技術を使用するよう注意してください。

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