Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 30 V, 100 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージSO-8, SIRA00DP-T1-GE3

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梱包形態
RS品番:
787-9367
メーカー型番:
SIRA00DP-T1-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

100A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

30V

シリーズ

TrenchFET

パッケージ型式

SO-8

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

1.35mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

順方向電圧 Vf

1.1V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

147nC

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

最大許容損失Pd

104W

動作温度 Max

150°C

長さ

6.25mm

規格 / 承認

No

幅

5.26 mm

高さ

1.12mm

自動車規格

なし

NチャンネルMOSFET、TrenchFET Gen IV、Vishay Semiconductors


MOSFETトランジスタ、Vishay Semiconductor


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