STMicroelectronics MOSFET, Nチャンネル, 11 A, スルーホール, 3 ピン, STP13NM60ND

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梱包形態
RS品番:
791-7801
メーカー型番:
STP13NM60ND
メーカー/ブランド名:
STMicroelectronics
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ブランド

STMicroelectronics

チャンネルタイプ

N

最大連続ドレイン電流

11 A

最大ドレイン-ソース間電圧

600 V

パッケージタイプ

TO-220

シリーズ

FDmesh

実装タイプ

スルーホール

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗

380 mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートしきい値電圧

5V

最低ゲートしきい値電圧

3V

最大パワー消費

109 W

トランジスタ構成

シングル

最大ゲート-ソース間電圧

-25 V, +25 V

幅

4.6mm

トランジスタ素材

Si

1チップ当たりのエレメント数

1

標準ゲートチャージ @ Vgs

24.5 nC @ 10 V

長さ

10.4mm

動作温度 Max

+150 °C

高さ

15.75mm

動作温度 Min

-55 °C

NチャンネルFDmesh™パワーMOSFET、STMicroelectronics



MOSFETトランジスタ、STMicroelectronics

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