onsemi MOSFET, N, Pチャンネル, 1.5 A、2 A, 表面実装, 6 ピン, MCH6660-TL-H

ブランド

onsemi

チャンネルタイプ

N, P

最大連続ドレイン電流

1.5 A、2 A

最大ドレイン-ソース間電圧

20 V

パッケージタイプ

MCPH

実装タイプ

表面実装

ピン数

6

最大ドレイン-ソース間抵抗

136 mΩ, 266 mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートしきい値電圧

1.3V

最大パワー消費

800 mW

トランジスタ構成

絶縁型

最大ゲート-ソース間電圧

-10 V, +10 V

トランジスタ素材

Si

幅

1.6mm

標準ゲートチャージ @ Vgs

1.7 nC @ 4.5 V、1.8 nC @ 4.5 V

長さ

2mm

1チップ当たりのエレメント数

2

動作温度 Max

+150 °C

高さ

0.85mm