onsemi MOSFET, N, Pチャンネル, 1.5 A、2 A, 表面実装, 6 ピン, MCH6660-TL-H
- RS品番:
- 791-9493
- メーカー型番:
- MCH6660-TL-H
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
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- RS品番:
- 791-9493
- メーカー型番:
- MCH6660-TL-H
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
仕様
データシート
その他
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | onsemi | |
| チャンネルタイプ | N, P | |
| 最大連続ドレイン電流 | 1.5 A、2 A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧 | 20 V | |
| パッケージタイプ | MCPH | |
| 実装タイプ | 表面実装 | |
| ピン数 | 6 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗 | 136 mΩ, 266 mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大ゲートしきい値電圧 | 1.3V | |
| 最大パワー消費 | 800 mW | |
| トランジスタ構成 | 絶縁型 | |
| 最大ゲート-ソース間電圧 | -10 V, +10 V | |
| トランジスタ素材 | Si | |
| 幅 | 1.6mm | |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 2 | |
| 長さ | 2mm | |
| 動作温度 Max | +150 °C | |
| 標準ゲートチャージ @ Vgs | 1.7 nC @ 4.5 V、1.8 nC @ 4.5 V | |
| 高さ | 0.85mm | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド onsemi | ||
チャンネルタイプ N, P | ||
最大連続ドレイン電流 1.5 A、2 A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧 20 V | ||
パッケージタイプ MCPH | ||
実装タイプ 表面実装 | ||
ピン数 6 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗 136 mΩ, 266 mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大ゲートしきい値電圧 1.3V | ||
最大パワー消費 800 mW | ||
トランジスタ構成 絶縁型 | ||
最大ゲート-ソース間電圧 -10 V, +10 V | ||
トランジスタ素材 Si | ||
幅 1.6mm | ||
1チップ当たりのエレメント数 2 | ||
長さ 2mm | ||
動作温度 Max +150 °C | ||
標準ゲートチャージ @ Vgs 1.7 nC @ 4.5 V、1.8 nC @ 4.5 V | ||
高さ 0.85mm | ||
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