Microchip シングルMOSFET, タイプNチャンネル 60 V, 410 mA エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-39, 2N6660

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RS品番:
649-369
メーカー型番:
2N6660
メーカー/ブランド名:
Microchip
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ブランド

Microchip

プロダクトタイプ

シングルMOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

410mA

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

60V

シリーズ

2N6660

パッケージ型式

TO-39

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

5Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートソース電圧Vgs

±20 V

順方向電圧 Vf

1.2V

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

6.25W

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

Lead (Pb)-free/RoHS

自動車規格

なし

COO（原産国）:
TH
垂直DMOS構造と実績のあるシリコンゲート製造プロセスを採用したMicrochipNチャネルエンハンスメントモード（ノーマルオフ）トランジスタ。この組み合わせにより、双極型トランジスタの電力処理能力と、MOSデバイスに固有の高入力インピーダンスおよび正の温度係数を備えたデバイスとなります。MOS構造の特徴により、このデバイスは熱暴走や熱誘起二次降伏の恐れがありません。

二次故障なし

低電力駆動要件

並列化が簡単

低Cissと高速スイッチング速度

優れた熱安定性

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