IXYS MOSFET, タイプNチャンネル 1 kV, 18 A エンハンスメント型, スルーホール, 3-Pin パッケージTO-247, IXFH18N100Q3
- RS品番:
- 801-1382
- メーカー型番:
- IXFH18N100Q3
- メーカー/ブランド名:
- IXYS
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|---|---|
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- RS品番:
- 801-1382
- メーカー型番:
- IXFH18N100Q3
- メーカー/ブランド名:
- IXYS
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | IXYS | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 18A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 1kV | |
| パッケージ型式 | TO-247 | |
| 取付タイプ | スルーホール | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 660mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 90nC | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 30 V | |
| 最大許容損失Pd | 830W | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 順方向電圧 Vf | 1.4V | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 幅 | 5.3 mm | |
| 高さ | 16.26mm | |
| 長さ | 16.26mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド IXYS | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 18A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 1kV | ||
パッケージ型式 TO-247 | ||
取付タイプ スルーホール | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 660mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 90nC | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 30 V | ||
最大許容損失Pd 830W | ||
動作温度 Min -55°C | ||
順方向電圧 Vf 1.4V | ||
動作温度 Max 150°C | ||
幅 5.3 mm | ||
高さ 16.26mm | ||
長さ 16.26mm | ||
規格 / 承認 No | ||
自動車規格 なし | ||
NチャンネルパワーMOSFET、IXYS HiperFET™ Q3シリーズ
IXYSのQ3クラスのHiperFET™パワーMOSFETは、ハードスイッチング及び共振モードの両方での使用に適しており、ゲート電荷量も小さく、非常に丈夫です。 これらのデバイスには高速真性ダイオードが搭載されており、定格が最大1100 V及び70 Aの各種絶縁タイプなど、さまざまな業界標準パッケージが用意されています。 主な用途には、DC-DCコンバータ、バッテリ充電器、スイッチモード及び共振モード電源、DCチョッパ、温度制御及び照明制御などがあります。
高速真性整流器
低RDS (オン)及びQG (ゲート電荷量)
低真性ゲート抵抗
産業用の標準パッケージ
低パッケージインダクタンス
高電力密度
MOSFETトランジスタ、IXYS
IXYSの先進のディスクリートパワーMOSFETデバイス製品