IXYS MOSFET, Nチャンネル, シングル, 1 kV, 15 A, 1.05 Ω, 64 nC, 3ピン, パッケージ：TO-247
- RS品番:
- 801-1389
- Distrelec 品番:
- 302-53-309
- メーカー型番:
- IXFH15N100Q3
- メーカー/ブランド名:
- IXYS
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- RS品番:
- 801-1389
- Distrelec 品番:
- 302-53-309
- メーカー型番:
- IXFH15N100Q3
- メーカー/ブランド名:
- IXYS
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | IXYS | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | N | |
| トランジスタ構成 | シングル | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧(Vds) | 1 kV | |
| 最大連続ドレイン電流(Id) | 15 A | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗(Rds) | 1.05 Ω | |
| 標準ゲートチャージ (Qg) @ Vgs | 64 nC | |
| ピン数 | 3 | |
| パッケージ型式 | TO-247 | |
| 自動車規格 | なし | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| Distrelec Product Id | 30253309 | |
| 順方向電圧 (Vf) | 1.4 V | |
| 高さ | 16.26 mm | |
| 長さ | 16.26 mm | |
| 最大ゲートソース電圧(Vgs) | -30 V, +30 V | |
| 動作温度 (Max) | 150 °C | |
| 最大許容損失(Pd) | 690 W | |
| 動作温度 (Min) | -55 °C | |
| 取付タイプ | スルーホール, スルーホール | |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 1 | |
| シリーズ | HiperFET, Q3-Class | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 幅 | 5.3 mm | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド IXYS | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ N | ||
トランジスタ構成 シングル | ||
最大ドレイン-ソース間電圧(Vds) 1 kV | ||
最大連続ドレイン電流(Id) 15 A | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗(Rds) 1.05 Ω | ||
標準ゲートチャージ (Qg) @ Vgs 64 nC | ||
ピン数 3 | ||
パッケージ型式 TO-247 | ||
自動車規格 なし | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
Distrelec Product Id 30253309 | ||
順方向電圧 (Vf) 1.4 V | ||
高さ 16.26 mm | ||
長さ 16.26 mm | ||
最大ゲートソース電圧(Vgs) -30 V, +30 V | ||
動作温度 (Max) 150 °C | ||
最大許容損失(Pd) 690 W | ||
動作温度 (Min) -55 °C | ||
取付タイプ スルーホール, スルーホール | ||
1チップ当たりのエレメント数 1 | ||
シリーズ HiperFET, Q3-Class | ||
規格 / 承認 No | ||
幅 5.3 mm | ||
N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Q3 Series
The IXYS Q3 class of HiperFET™ Power MOSFETs are suitable for both hard switching and resonant mode applications, and offer low gate charge with exceptional ruggedness. The devices incorporate a fast intrinsic diode and are available in a variety of industry-standard packages including isolated types, with ratings of up to 1100V and 70A. Typical applications include DC-DC converters, battery chargers, switch-mode and resonant-mode power supplies, DC Choppers, temperature and lighting control.
Fast intrinsic rectifier diode
Low RDS(on) and QG (gate charge)
Low intrinsic gate resistance
Industry standard packages
Low package inductance
High power density
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of Advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
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