- RS品番:
- 801-1452
- メーカー型番:
- IXFR64N50Q3
- メーカー/ブランド名:
- IXYS
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- 801-1452
- メーカー型番:
- IXFR64N50Q3
- メーカー/ブランド名:
- IXYS
その他
詳細情報
NチャンネルパワーMOSFET、IXYS HiperFET™ Q3シリーズ
IXYSのQ3クラスのHiperFET™パワーMOSFETは、ハードスイッチング及び共振モードの両方での使用に適しており、ゲート電荷量も小さく、非常に丈夫です。 これらのデバイスには高速真性ダイオードが搭載されており、定格が最大1100 V及び70 Aの各種絶縁タイプなど、さまざまな業界標準パッケージが用意されています。 主な用途には、DC-DCコンバータ、バッテリ充電器、スイッチモード及び共振モード電源、DCチョッパ、温度制御及び照明制御などがあります。
高速真性整流器
低RDS (オン)及びQG (ゲート電荷量)
低真性ゲート抵抗
産業用の標準パッケージ
低パッケージインダクタンス
高電力密度
低RDS (オン)及びQG (ゲート電荷量)
低真性ゲート抵抗
産業用の標準パッケージ
低パッケージインダクタンス
高電力密度
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
MOSFETトランジスタ、IXYS
IXYSの先進のディスクリートパワーMOSFETデバイス製品
仕様
特性 | |
---|---|
チャンネルタイプ | N |
最大連続ドレイン電流 | 45 A |
最大ドレイン-ソース間電圧 | 500 V |
シリーズ | HiperFET, Q3-Class |
パッケージタイプ | ISOPLUS247 |
実装タイプ | スルーホール |
ピン数 | 3 |
最大ドレイン-ソース間抵抗 | 94 mΩ |
チャンネルモード | エンハンスメント型 |
最大ゲートしきい値電圧 | 6.5V |
最大パワー消費 | 500 W |
トランジスタ構成 | シングル |
最大ゲート-ソース間電圧 | -30 V, +30 V |
長さ | 16.13mm |
動作温度 Max | +150 °C |
幅 | 5.21mm |
標準ゲートチャージ @ Vgs | 145 nC @ 10 V |
トランジスタ素材 | Si |
1チップ当たりのエレメント数 | 1 |
高さ | 21.34mm |
動作温度 Min | -55 °C |
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