IXYS MOSFET, タイプNチャンネル 1 kV, 10 A エンハンスメント型, スルーホール, 3-Pin パッケージISOPLUS247, IXFR15N100Q3

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梱包形態
RS品番:
801-1430
Distrelec 品番:
302-53-393
メーカー型番:
IXFR15N100Q3
メーカー/ブランド名:
IXYS
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ブランド

IXYS

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

10A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

1kV

パッケージ型式

ISOPLUS247

取付タイプ

スルーホール

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

1.2Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大許容損失Pd

400W

順方向電圧 Vf

1.4V

最大ゲートソース電圧Vgs

30 V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

64nC

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

150°C

幅

5.21 mm

高さ

21.34mm

規格 / 承認

No

長さ

16.13mm

自動車規格

なし

Distrelec Product Id

30253393

NチャンネルパワーMOSFET、IXYS HiperFET™ Q3シリーズ


IXYSのQ3クラスのHiperFET™パワーMOSFETは、ハードスイッチング及び共振モードの両方での使用に適しており、ゲート電荷量も小さく、非常に丈夫です。 これらのデバイスには高速真性ダイオードが搭載されており、定格が最大1100 V及び70 Aの各種絶縁タイプなど、さまざまな業界標準パッケージが用意されています。 主な用途には、DC-DCコンバータ、バッテリ充電器、スイッチモード及び共振モード電源、DCチョッパ、温度制御及び照明制御などがあります。

高速真性整流器

低RDS (オン)及びQG (ゲート電荷量)

低真性ゲート抵抗

産業用の標準パッケージ

低パッケージインダクタンス

高電力密度

MOSFETトランジスタ、IXYS


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