IXYS MOSFET, タイプNチャンネル 1 kV, 32 A エンハンスメント型, スルーホール, 3-Pin パッケージPLUS247, IXFX32N100Q3

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梱包形態
RS品番:
801-1487
Distrelec 品番:
302-53-406
メーカー型番:
IXFX32N100Q3
メーカー/ブランド名:
IXYS
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ブランド

IXYS

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

32A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

1kV

パッケージ型式

PLUS247

取付タイプ

スルーホール

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

320mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

195nC

最大許容損失Pd

1.25kW

順方向電圧 Vf

1.4V

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

30 V

動作温度 Max

150°C

長さ

16.13mm

幅

5.21 mm

高さ

21.34mm

規格 / 承認

No

Distrelec Product Id

30253406

自動車規格

なし

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。


NチャンネルパワーMOSFET、IXYS HiperFET™ Q3シリーズ


IXYSのQ3クラスのHiperFET™パワーMOSFETは、ハードスイッチング及び共振モードの両方での使用に適しており、ゲート電荷量も小さく、非常に丈夫です。 これらのデバイスには高速真性ダイオードが搭載されており、定格が最大1100 V及び70 Aの各種絶縁タイプなど、さまざまな業界標準パッケージが用意されています。 主な用途には、DC-DCコンバータ、バッテリ充電器、スイッチモード及び共振モード電源、DCチョッパ、温度制御及び照明制御などがあります。

高速真性整流器

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MOSFETトランジスタ、IXYS


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