onsemi MOSFET, タイプNチャンネル 60 V, 18 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-252, RFD12N06RLESM9A

MOSFET・モスフェット の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品

1 袋(1袋10個入り) 小計：*

￥1,263.00

(税抜)

￥1,389.30

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫限り
  • 1,890 は海外在庫あり（最終在庫）
個
単価
購入単位毎合計*
10 - 140￥126.30￥1,263
150 - 1190￥124.60￥1,246
1200 - 1590￥96.90￥969
1600 - 1990￥83.90￥839
2000 +￥70.10￥701

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

梱包形態
RS品番:
802-2143
メーカー型番:
RFD12N06RLESM9A
メーカー/ブランド名:
onsemi
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

onsemi

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

18A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

60V

シリーズ

UltraFET

パッケージ型式

TO-252

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

75mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

12nC

最大許容損失Pd

49W

最大ゲートソース電圧Vgs

16 V

動作温度 Max

175°C

長さ

6.73mm

高さ

2.39mm

規格 / 承認

No

幅

6.22 mm

自動車規格

なし

UltraFET® MOSFET、Fairchild Semiconductor


UItraFET® Trench MOSFETは、電力変換の用途においてベンチマーク効率を実現する特性を統合しています。 このデバイスは、アバランシェモードでの高エネルギーに耐えることができ、ダイオードの逆回復時間は非常に短く、保存電荷量は非常に小さいです。 高い周波数、最低のRDS(on)、低いESR、低い総電荷量及びミラーゲート電荷量を実現できるように最適化されています。

用途: 高周波DC-DCコンバータ、スイッチングレギュレータ、モータドライバ、低電圧バススイッチ、及び電源管理

MOSFET トランジスタ、 ON Semi


ON Semi は、高電圧>（ 250 V ）<タイプと低電圧（ 250 V ）タイプを含む、充実した MOSFET デバイスポートフォリオを提供しています。高度なシリコン技術により、複数の業界標準に組み込まれ、熱耐性強化パッケージに収納された小さなダイサイズが実現します。

ON Semi MOSFET は、電圧スパイクの低減とオーバーシュート、ジャンクション容量の低減と逆回復電荷に対する設計の信頼性に優れており、追加の外部コンポーネントを排除してシステムの稼働時間を延長します。

関連ページ