onsemi MOSFET, タイプNチャンネル 50 V, 16 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-252, RFD16N05LSM9A

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梱包形態
RS品番:
761-3574
メーカー型番:
RFD16N05LSM9A
メーカー/ブランド名:
onsemi
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ブランド

onsemi

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

16A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

50V

シリーズ

MegaFET

パッケージ型式

TO-252

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

47mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

60W

最大ゲートソース電圧Vgs

10 V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

80nC

動作温度 Max

150°C

幅

6.22 mm

規格 / 承認

No

長さ

6.73mm

高さ

2.39mm

自動車規格

なし

COO（原産国）:
CN

MegaFET MOSFET、Fairchild Semiconductor


LSI集積回路に近づく特性サイズを採用したMegaFETプロセスでは、シリコンの利用率を最適化しているので、優れた性能を発揮します。

MOSFET トランジスタ、 ON Semi


ON Semi は、高電圧>（ 250 V ）<タイプと低電圧（ 250 V ）タイプを含む、充実した MOSFET デバイスポートフォリオを提供しています。高度なシリコン技術により、複数の業界標準に組み込まれ、熱耐性強化パッケージに収納された小さなダイサイズが実現します。

ON Semi MOSFET は、電圧スパイクの低減とオーバーシュート、ジャンクション容量の低減と逆回復電荷に対する設計の信頼性に優れており、追加の外部コンポーネントを排除してシステムの稼働時間を延長します。

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