型番

onsemi MOSFET, タイプPチャンネル 20 V, 1.3 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージSOT-23, NTR1P02LT3G

RS品番:: 808-0060
メーカー型番:: NTR1P02LT3G
メーカー/ブランド名:: onsemi

onsemi MOSFET, タイプPチャンネル 20 V, 1.3 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージSOT-23, NTR1P02LT3G

ボリュームディスカウント対象商品

1 個(1個200個入り) 小計：*

￥5,120.00

￥5,632.00

3,000円を超える注文については、送料無料

在庫限り

8,400 は 2026年3月24日に入荷予定

「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。

個	単価	購入単位毎合計*
200 - 200	￥25.60	￥5,120
400 - 3800	￥24.08	￥4,816
4000 - 5800	￥22.575	￥4,515
6000 - 7800	￥21.055	￥4,211
8000 +	￥19.54	￥3,908

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

RS品番:: 808-0060
メーカー型番:: NTR1P02LT3G
メーカー/ブランド名:: onsemi

仕様

データシート

その他

詳細情報

製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	onsemi
	チャンネルタイプ	タイプP
	プロダクトタイプ	MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id	1.3A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	20V
	パッケージ型式	SOT-23
	取付タイプ	表面
	ピン数	3
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	350mΩ
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	順方向電圧 Vf	-1V
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	3.1nC
	動作温度 Min	-55°C
	最大ゲートソース電圧Vgs	±12 V
	最大許容損失Pd	400mW
	動作温度 Max	150°C
	幅	1.4 mm
	長さ	3.04mm
	高さ	1.01mm
	規格 / 承認	No
	自動車規格	AEC-Q101

	すべて選択
	ブランド onsemi
	チャンネルタイプタイプP
	プロダクトタイプ MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id 1.3A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 20V
	パッケージ型式 SOT-23
	取付タイプ表面
	ピン数 3
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 350mΩ
	チャンネルモードエンハンスメント型
	順方向電圧 Vf -1V
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 3.1nC
	動作温度 Min -55°C
	最大ゲートソース電圧Vgs ±12 V
	最大許容損失Pd 400mW
	動作温度 Max 150°C
	幅 1.4 mm
	長さ 3.04mm
	高さ 1.01mm
	規格 / 承認 No
	自動車規格 AEC-Q101

onsemi MOSFET, タイプPチャンネル 20 V, 1.3 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージSOT-23, NTR1P02LT3G

3,000円を超える注文については、送料無料

NチャンネルパワーMOSFET、20 V、ON Semiconductor

MOSFETトランジスタ、ON Semiconductor

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。

関連ページ