2 DiodesZetex パワーMOSFET 分離式, タイプNチャンネル, 6.6 A, 表面 60 V, 8-Pin エンハンスメント型, DMN6040SSD-13 パッケージSOIC

ボリュームディスカウント対象商品

1 袋(1袋20個入り) 小計:*

¥1,144.00

(税抜)

¥1,258.40

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫あり
  • 300 2025年12月29日 に入荷予定
  • 86,500 2026年1月05日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
単価
購入単位毎合計*
20 - 100¥57.20¥1,144
120 - 1180¥50.25¥1,005
1200 - 1580¥43.30¥866
1600 - 1980¥36.35¥727
2000 +¥29.40¥588

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

梱包形態
RS品番:
823-4018
メーカー型番:
DMN6040SSD-13
メーカー/ブランド名:
DiodesZetex
製品情報(複数選択可)を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

DiodesZetex

プロダクトタイプ

パワーMOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

6.6A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

60V

パッケージ型式

SOIC

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

55mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

10.4nC

順方向電圧 Vf

0.7V

最大許容損失Pd

1.7W

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

動作温度 Min

150°C

動作温度 Max

-55°C

トランジスタ構成

分離式

規格 / 承認

MIL-STD-202, RoHS, J-STD-020, UL 94V-0, AEC-Q101

長さ

4.95mm

3.95 mm

高さ

1.5mm

1チップ当たりのエレメント数

2

自動車規格

AEC-Q101

デュアルNチャンネルMOSFET、Diodes Inc.


MOSFETトランジスタ、Diodes Inc.


関連ページ