型番

2 DiodesZetex パワーMOSFET 分離式, タイプNチャンネル, 4.1 A, 表面 60 V, 8-Pin エンハンスメント型, DMN6070SSD-13 パッケージSOIC

RS品番:: 827-0493
メーカー型番:: DMN6070SSD-13
メーカー/ブランド名:: DiodesZetex

2 DiodesZetex パワーMOSFET 分離式, タイプNチャンネル, 4.1 A, 表面 60 V, 8-Pin エンハンスメント型, DMN6070SSD-13 パッケージSOIC

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RS品番:: 827-0493
メーカー型番:: DMN6070SSD-13
メーカー/ブランド名:: DiodesZetex

仕様

データシート

その他

詳細情報

製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	DiodesZetex
	プロダクトタイプ	パワーMOSFET
	チャンネルタイプ	タイプN
	最大連続ドレイン電流Id	4.1A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	60V
	パッケージ型式	SOIC
	取付タイプ	表面
	ピン数	8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	100mΩ
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	順方向電圧 Vf	0.75V
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	5.6nC
	動作温度 Min	150°C
	最大許容損失Pd	1.5W
	最大ゲートソース電圧Vgs	20 V
	動作温度 Max	-55°C
	トランジスタ構成	分離式
	高さ	1.5mm
	長さ	4.95mm
	規格 / 承認	J-STD-020, AEC-Q101, RoHS, UL 94V-0, MIL-STD-202
	幅	3.95 mm
	1チップ当たりのエレメント数	2
	自動車規格	AEC-Q101

	すべて選択
	ブランド DiodesZetex
	プロダクトタイプパワーMOSFET
	チャンネルタイプタイプN
	最大連続ドレイン電流Id 4.1A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 60V
	パッケージ型式 SOIC
	取付タイプ表面
	ピン数 8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 100mΩ
	チャンネルモードエンハンスメント型
	順方向電圧 Vf 0.75V
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 5.6nC
	動作温度 Min 150°C
	最大許容損失Pd 1.5W
	最大ゲートソース電圧Vgs 20 V
	動作温度 Max -55°C
	トランジスタ構成分離式
	高さ 1.5mm
	長さ 4.95mm
	規格 / 承認 J-STD-020, AEC-Q101, RoHS, UL 94V-0, MIL-STD-202
	幅 3.95 mm
	1チップ当たりのエレメント数 2
	自動車規格 AEC-Q101

2 DiodesZetex パワーMOSFET 分離式, タイプNチャンネル, 4.1 A, 表面 60 V, 8-Pin エンハンスメント型, DMN6070SSD-13 パッケージSOIC

3,000円を超える注文については、送料無料

デュアルNチャンネルMOSFET、Diodes Inc.

MOSFETトランジスタ、Diodes Inc.

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