2 DiodesZetex パワーMOSFET 分離式, タイプNチャンネル, 4.1 A, 表面 60 V, 8-Pin エンハンスメント型, DMN6070SSD-13 パッケージSOIC

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RS品番:
827-0493
メーカー型番:
DMN6070SSD-13
メーカー/ブランド名:
DiodesZetex
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ブランド

DiodesZetex

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

パワーMOSFET

最大連続ドレイン電流Id

4.1A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

60V

パッケージ型式

SOIC

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

100mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

最大許容損失Pd

1.5W

動作温度 Min

150°C

順方向電圧 Vf

0.75V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

5.6nC

トランジスタ構成

分離式

動作温度 Max

-55°C

規格 / 承認

J-STD-020, AEC-Q101, RoHS, UL 94V-0, MIL-STD-202

長さ

4.95mm

高さ

1.5mm

幅

3.95 mm

1チップ当たりのエレメント数

2

自動車規格

AEC-Q101

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。


デュアルNチャンネルMOSFET、Diodes Inc.


MOSFETトランジスタ、Diodes Inc.


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