Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 200 V, 34 A エンハンスメント型, スルーホール, 3-Pin パッケージTO-220, IPP320N20N3GXKSA1

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梱包形態
RS品番:
823-5642
メーカー型番:
IPP320N20N3GXKSA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

34A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

200V

パッケージ型式

TO-220

シリーズ

OptiMOS 3

取付タイプ

スルーホール

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

32mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

順方向電圧 Vf

0.9V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

22nC

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

最大許容損失Pd

136W

動作温度 Max

175°C

幅

4.57 mm

高さ

15.95mm

長さ

10.36mm

規格 / 承認

No

自動車規格

なし

COO（原産国）:
MY

Infineon OptiMOS™ 3シリーズ MOSFET、最大連続ドレイン電流34A、最大電力損失136W - IPP320N20N3GXKSA1


このMOSFETは、様々な電子用途に高性能を発揮します。最大34Aの連続ドレイン電流能力と200Vのドレイン・ソース間電圧定格により、効率的なパワー・ソリューションとして機能する。エンハンスメントモード動作により、スイッチングや同期整流を必要とする回路で信頼性の高い性能を発揮します。

特徴と利点


• 効果的な電力変換のためのNチャンネル設計

• 低オン抵抗でエネルギー損失を低減

• 過酷な条件下での高い動作温度耐性

• 高周波スイッチング・アプリケーションに対応

• 鉛フリー、RoHS対応で環境にやさしい

• ハロゲンフリー素材が安全性とコンプライアンスを強化

用途


• 産業オートメーション用電源に使用

• DC-DCコンバータの同期整流に最適

• 電気自動車充電システムに適用

• 家電製品のバッテリー管理システムに最適

• 効率的な電力伝送のために再生可能エネルギー・インバーターに利用される

最高使用温度範囲は？


このコンポーネントは、-55℃から+175℃の間で効果的に動作し、多様な環境条件に適している。

高いドレイン電流に対応できるか？


はい、最大34Aの連続ドレイン電流をサポートし、高電力アプリケーションに適しています。

低RDS(on)機能にはどのような利点がありますか？


オン抵抗が低いため、動作時のエネルギー損失が大幅に低減され、大電力スイッチング・アプリケーションの効率が向上する。

自動車用途に適していますか？


高温定格と低オン抵抗により、車載用途に適しており、厳しい条件下でも性能を発揮する。

設置の際、適切な放熱を確保するにはどうすればいいでしょうか？


効果的な熱管理を行うには、MOSFET をヒートシンクまたは十分な銅面積を持つ PCB に取り付け、動作中に発生する熱を逃がすようにしてください。

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。


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