Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 100 V, 42 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージTDSON, BSC160N10NS3GATMA1

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RS品番:
825-9250
メーカー型番:
BSC160N10NS3GATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

42A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

100V

シリーズ

OptiMOS 3

パッケージ型式

TDSON

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

33mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

19nC

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

60W

順方向電圧 Vf

1V

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

No

長さ

5.35mm

幅

6.35 mm

高さ

1.1mm

自動車規格

なし

Infineon OptiMOS™ 3シリーズ MOSFET、最大連続ドレイン電流42A、最大消費電力60W - BSC160N10NS3GATMA1


このMOSFETは、さまざまな用途における効率と耐久性を考慮して設計されています。電源管理システムの基本部品として機能し、スイッチング・アプリケーションに優れているため、オートメーションや電気部門に適しています。高い連続ドレイン電流と低いオン抵抗など、その印象的な特徴は、さまざまな環境での性能を最適化し、強度と効率を保証します。

特徴と利点


• ハイパワー・タスク用に42Aの連続ドレイン電流をサポート

• 最大ドレイン・ソース間電圧100Vで動作し、幅広い用途に使用可能

• 33mΩの低オン抵抗を実現し、エネルギー効率を向上

• 簡単な回路統合のための表面実装構成で設計されています。

• 150℃までの高温環境下での機能

• シングルNチャンネル構成により安定性が向上

用途


• 効果的なエネルギー管理のために電源やコンバーターに採用

• こんな人に向いている 小型で効率的なパワーデバイスを必要とする

• モーター制御システムに活用し、応答時間を向上

• 堅牢な電源能力を必要とする通信システムに最適

• 効率的な電力変換のために再生可能エネルギーシステムで一般的に適用されている

この装置を使用する際の温度限界は？


このデバイスは、さまざまな環境条件に適した-55℃～+150℃の温度範囲で動作する。

低オン抵抗は、回路設計にどのようなメリットをもたらしますか？


オン状態の抵抗が低いため、動作中の電力損失が減少し、回路の効率が向上し、発熱が減少します。

このMOSFETに必要な特定の取り付け方法はありますか？


このMOSFETは表面実装設計が特徴で、プリント回路基板への組み込みが容易です。

このMOSFETはパルス・アプリケーションに使用できますか？


最大168Aのパルス電流に対応し、過渡負荷を伴うアプリケーションに適している。

設置時に考慮すべき安全機能は何ですか？


ゲート・ソース間電圧を-20V～+20Vの規定範囲内で管理し、損傷を防止することが重要である一方、最適な性能を発揮するためには熱抵抗定格を遵守する必要がある。

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。


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