Infineon MOSFET, Nチャンネル, 400 V, 170 mA, 25 Ω, 4.54 nC, 4ピン, パッケージ：SOT-223
- RS品番:
- 826-9257
- Distrelec 品番:
- 304-44-416
- メーカー型番:
- BSP324H6327XTSA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
ボリュームディスカウント対象商品
一括購入価格オプションを表示50個小計, 50パック：*
￥7,120
(税抜)
￥7,832
(税込)
3,000円を超える注文については、送料無料
一時的に在庫切れ
- 本日発注の場合は 2027年1月13日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 50 - 200 | ￥142.40 | ￥7,120 |
| 250 - 450 | ￥126.34 | ￥6,317 |
| 500 - 600 | ￥110.12 | ￥5,506 |
| 650 - 750 | ￥92.64 | ￥4,632 |
| 800 + | ￥76.56 | ￥3,828 |
* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。
- RS品番:
- 826-9257
- Distrelec 品番:
- 304-44-416
- メーカー型番:
- BSP324H6327XTSA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | N | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 170mA | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 400V | |
| シリーズ | SIPMOS | |
| パッケージ型式 | SOT-223 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 4 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 25Ω | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大許容損失Pd | 1.8W | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | -20V, +20V | |
| 順方向電圧 Vf | 0.8V | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 4.54nC | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 長さ | 6.5mm | |
| 高さ | 1.6mm | |
| 幅 | 3.5mm | |
| 自動車規格 | AEC-Q101 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ N | ||
最大連続ドレイン電流Id 170mA | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 400V | ||
シリーズ SIPMOS | ||
パッケージ型式 SOT-223 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 4 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 25Ω | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大許容損失Pd 1.8W | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大ゲートソース電圧Vgs -20V, +20V | ||
順方向電圧 Vf 0.8V | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 4.54nC | ||
動作温度 Max 150°C | ||
規格 / 承認 No | ||
長さ 6.5mm | ||
高さ 1.6mm | ||
幅 3.5mm | ||
自動車規格 AEC-Q101 | ||
インフィニオン SIPMOSシリーズMOSFET、最大ドレイン-ソース間電圧 400V、最大電力損失 1.8W - BSP324H6327XTSA1
このMOSFETは、過酷な環境での表面実装電力スイッチング用に設計された高電圧Nチャンネルトランジスタです。大きなドレインソース電圧と自動車レベルの認定に対応できるエンハンスメントモードデバイスを必要とする回路のスイッチングまたは制御エレメントとして機能します。このデバイスはコンパクトなSOT-223パッケージで提供され、熱性能と電気性能のバランスを取る必要がある基板実装用途に適しています。
特長：
• ドレイン-ソース間定格電圧 400V により、高電圧スイッチング用途に対応
• 最大25ΩのRds(on)により、低電流回路における導通損失を低減
• 170mAの連続ドレイン電流により、小信号電力処理をサポート
• 最大1.8Wの許容電力により、適度な熱負荷に対応
• 4.54nCの標準ゲート電荷により、低ドライブエネルギーで高速ゲート遷移を実現
• 0.8Vの順方向電圧によりスイッチングイベントでのダイオードドロップ効率を向上
• 最大25ΩのRds(on)により、低電流回路における導通損失を低減
• 170mAの連続ドレイン電流により、小信号電力処理をサポート
• 最大1.8Wの許容電力により、適度な熱負荷に対応
• 4.54nCの標準ゲート電荷により、低ドライブエネルギーで高速ゲート遷移を実現
• 0.8Vの順方向電圧によりスイッチングイベントでのダイオードドロップ効率を向上
用途
• 自動車用電子機器の補助回路に最適
• 電源スナバーネットワークにおける高電圧制御に最適
• 低電流スイッチング段でゲートドライバに使用
• 検出モジュールにおける負荷保護に使用可能
• コンパクトな電源設計における表面実装アセンブリに適用
• 電源スナバーネットワークにおける高電圧制御に最適
• 低電流スイッチング段でゲートドライバに使用
• 検出モジュールにおける負荷保護に使用可能
• コンパクトな電源設計における表面実装アセンブリに適用
どの温度範囲で動作できますか？
-55°C～150°Cの幅広い周囲温度範囲で動作し、様々な熱設備で使用できます。
いくつのピンとどのような取付方式を採用していますか？
このデバイスには4本のピンが付属し、プリント基板への表面実装を目的としています。
設計時に守る必要があるゲート電圧の制限値はどのくらいですか？
ゲートドライブ電圧は、ゲート-ソース間の最大定格を超えないよう、±20Vの範囲内に保つ必要があります。
設計者が想定するパッケージフットプリントと外部サイズはどのようなものですか？
このトランジスタは、基板配置を計画するための全体寸法6.5 x 3.5 x 1.6mmのSOT-223パッケージで提供されます。
関連ページ
- Infineon MOSFET 400 V 25 Ω 4ピン, パッケージ：SOT-223
- Infineon MOSFET 60 V 300 mΩ 4ピン, パッケージ：SOT-223
- Infineon MOSFET 600 V 45 Ω 4ピン, パッケージ：SOT-223
- Infineon MOSFET 240 V 6 Ω 4ピン, パッケージ：SOT-223
- Infineon MOSFET 240 V 6 Ω 4ピン, パッケージ：SOT-223
- Infineon MOSFET 250 V 20 Ω 4ピン, パッケージ：SOT-223
- Infineon MOSFET 200 V 1.8 Ω 4ピン, パッケージ：SOT-223
- Infineon MOSFET 600 V 45 Ω 4ピン, パッケージ：SOT-223