- RS品番:
- 826-9285
- メーカー型番:
- BSS138NH6433XTMA1
- メーカー/ブランド名:
- Infineon
一時的な在庫切れ - 2025/05/21に入荷し、その後4営業日でお届け予定
追加されました
単価: 購入単位は500 個
¥15.582
(税抜)
¥17.14
(税込)
個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
500 - 2000 | ¥15.582 | ¥7,791.00 |
2500 - 4500 | ¥15.128 | ¥7,564.00 |
5000 - 6000 | ¥11.73 | ¥5,865.00 |
6500 - 7500 | ¥10.032 | ¥5,016.00 |
8000 + | ¥8.334 | ¥4,167.00 |
* 購入単位ごとの価格 |
- RS品番:
- 826-9285
- メーカー型番:
- BSS138NH6433XTMA1
- メーカー/ブランド名:
- Infineon
その他
詳細情報
Infineon SIPMOS® NチャンネルMOSFET
MOSFETトランジスタ、Infineon
Infineonでは、CoolMOS、OptiMOS、StrongIRFETの各ファミリをはじめ、MOSFETデバイスの幅広く包括的な製品ラインを取り揃えています。効率、電力密度、及びコスト効果を高めるためにクラス最高の性能を実現しています。高い品質と強化された保護機能が求められる設計では、AEC-Q101車載用規格に適合するMOSFETが活用されます。
仕様
特性 | |
---|---|
チャンネルタイプ | N |
最大連続ドレイン電流 | 230 mA |
最大ドレイン-ソース間電圧 | 60 V |
シリーズ | SIPMOS |
パッケージタイプ | SOT-23 |
実装タイプ | 表面実装 |
ピン数 | 3 |
最大ドレイン-ソース間抵抗 | 3.5 Ω |
チャンネルモード | エンハンスメント型 |
最大ゲートしきい値電圧 | 1.4V |
最低ゲートしきい値電圧 | 0.6V |
最大パワー消費 | 360 mW |
トランジスタ構成 | シングル |
最大ゲート-ソース間電圧 | -20 V, +20 V |
長さ | 2.9mm |
トランジスタ素材 | Si |
幅 | 1.3mm |
標準ゲートチャージ @ Vgs | 1 nC @ 10 V |
1チップ当たりのエレメント数 | 1 |
動作温度 Max | +150 °C |
高さ | 1mm |
動作温度 Min | -55 °C |
関連ページ
- Nexperia Nチャンネル MOSFET60 V 360 mA 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピン
- Pチャンネル MOSFET30 V 230 mA 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピン
- Nチャンネル MOSFET55 V 540 mA 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピン
- Infineon Nチャンネル MOSFET100 V 190 mA 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピン
- Infineon Nチャンネル MOSFET60 V 200 mA 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピン
- MOSFET60 V 200 mA 表面実装 パッケージPG-SOT
- Infineon Nチャンネル MOSFET60 V 280 mA 表面実装 パッケージSOT-323 3 ピン
- Nexperia Nチャンネル MOSFET60 V 200 mA 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピン