Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 60 V, 200 mA エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージSOT-23, BSS7728NH6327XTSA2

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梱包形態
RS品番:
214-4337
メーカー型番:
BSS7728NH6327XTSA2
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

200mA

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

60V

パッケージ型式

SOT-23

シリーズ

SIPMOS

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

5Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

1nC

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

最大許容損失Pd

0.36W

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

No

幅

1.4 mm

長さ

3.04mm

高さ

1.12mm

自動車規格

AEC-Q101

Infineon の SIPMOS 小型信号 MOSFET は、スペースに制約のある車載用途や非車載用途に最適です。バッテリ保護、バッテリ充電、 LED 照明など、ほぼすべての用途で使用されています。

IEC61249-2-21 に準拠したハロゲンフリーです

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