Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 100 V, 9.4 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-252, IRFR120NTRLPBF

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RS品番:
827-4035
メーカー型番:
IRFR120NTRLPBF
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

9.4A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

100V

シリーズ

HEXFET

パッケージ型式

TO-252

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

210mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

最大許容損失Pd

48W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

25nC

順方向電圧 Vf

1.3V

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

Lead-Free

長さ

6.73mm

幅

6.22 mm

高さ

2.39mm

自動車規格

なし

COO（原産国）:
CN

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。


NチャンネルパワーMOSFET 100 V、Infineon


InfineonのディスクリートHEXFET®パワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。 さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。

MOSFETトランジスタ、Infineon


Infineonでは、CoolMOS、OptiMOS、StrongIRFETの各ファミリをはじめ、MOSFETデバイスの幅広く包括的な製品ラインを取り揃えています。効率、電力密度、及びコスト効果を高めるためにクラス最高の性能を実現しています。高い品質と強化された保護機能が求められる設計では、AEC-Q101車載用規格に適合するMOSFETが活用されます。

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