Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 100 V, 8.7 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-252, IRFR120ZTRPBF

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梱包形態
RS品番:
215-2597
メーカー型番:
IRFR120ZTRPBF
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

8.7A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

100V

シリーズ

HEXFET

パッケージ型式

TO-252

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

190mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

35W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

10nC

順方向電圧 Vf

1.3V

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

No

自動車規格

なし

Infineon HEXFET ® パワー MOSFET シリーズでは、最新のプロセス技術を活かし、シリコン面積当たりのオン抵抗他にも、ジャンクション動作温度 175 ° C 、高速スイッチング、向上した反復アバランシェ定格といった特長があります。こうした特長が相まって、幅広い用途に使用できる、効率と信頼性の極めて高いデバイスとなっています。

先進のプロセス技術

超低ON抵抗

高速スイッチング

反復アバランシェはTjmaxまで許容

鉛フリー

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