Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 30 V, 160 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-252

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RS品番:
830-3394
メーカー型番:
IRLR8743TRPBF
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

160A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

30V

シリーズ

HEXFET

パッケージ型式

TO-252

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

3.9mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

39nC

順方向電圧 Vf

1V

最大許容損失Pd

135W

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

動作温度 Max

175°C

幅

6.22 mm

規格 / 承認

No

長さ

6.73mm

高さ

2.39mm

自動車規格

なし

インフィニオンHEXFETシリーズ MOSFET、最大連続ドレイン電流160A、最大許容損失135W - IRLR8743TRPBF


このMOSFETは、オートメーションおよびエレクトロニクス分野の高性能アプリケーション向けに設計されています。HEXFET技術を活用することで、電源管理における大幅な効率と信頼性を実現している。高い連続ドレイン電流に対応できるため、さまざまな産業環境に適しています。

特徴と利点


• 最大160Aの連続ドレイン電流に対応し、確かな性能を発揮

• 最大ドレイン・ソース間電圧は30Vで、信頼性の高い動作を実現

• 低Rds(on)値3.9mΩで電力損失を最小化

• スイッチング効率を向上させるエンハンスメント・モード・トランジスタとして設計

• 表面実装が可能なため、回路設計への組み込みが容易

• 熱管理向上のため、+175℃までの高温動作に対応

用途


• コンピュータ電源における高周波同期降圧コンバータ

• 電気通信システムにおける絶縁型DC-DCコンバータ

• 産業用電源管理およびオートメーション・システム

• 効率的なスイッチングのために低いゲートしきい値電圧を必要とするデバイス

• コンパクトな電源ソリューションを必要とする各種電子機器

高温が性能に与える影響は？


高温での動作は熱性能を高め、困難な条件下での安定性を確保しながら、高出力レベルを効果的に管理することを可能にする。

この技術は、電子機器の効率をどのように向上させるのか？


HEXFET技術は、その低Rds（on）により電力損失を大幅に削減し、デバイスが高負荷下で効率的に動作し、発熱が少ないことを可能にする。

他の半導体との併用は可能か？


そう、ミックスドシグナル回路で他の半導体部品と統合し、回路全体の機能と性能を高めることができる。

表面実装設計の意義は？


表面実装設計は、PCB上のコンパクトなアセンブリをサポートし、熱管理を強化し、電子アプリケーションのスペースを最適化します。

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。

NチャンネルパワーMOSFET 30 V、Infineon


InfineonのディスクリートHEXFET®パワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。 さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。

MOSFETトランジスタ、Infineon


Infineonでは、CoolMOS、OptiMOS、StrongIRFETの各ファミリをはじめ、MOSFETデバイスの幅広く包括的な製品ラインを取り揃えています。効率、電力密度、及びコスト効果を高めるためにクラス最高の性能を実現しています。高い品質と強化された保護機能が求められる設計では、AEC-Q101車載用規格に適合するMOSFETが活用されます。

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