Infineon パワーMOSFET, タイプNチャンネル 75 V, 75 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-263, IRF2807ZSTRLPBF

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梱包形態
RS品番:
831-2806
メーカー型番:
IRF2807ZSTRLPBF
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

パワーMOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

75A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

75V

シリーズ

HEXFET

パッケージ型式

TO-263

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

9.4mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

順方向電圧 Vf

1.3V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

71nC

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

±20 V

最大許容損失Pd

300W

動作温度 Max

175°C

幅

9.65 mm

高さ

4.83mm

規格 / 承認

No

長さ

10.67mm

自動車規格

なし

インフィニオンHEXFETシリーズ MOSFET、最大連続ドレイン電流89A、最大消費電力170W - IRF2807ZSTRLPBF


このMOSFETは高性能スイッチング・アプリケーション用に設計されており、さまざまな電子回路で効率と信頼性を提供します。その低オン抵抗と強力な熱特性は、オートメーション、電気、機械分野のユーザーにとって不可欠であり、効果的な電力管理とエネルギー損失の低減を可能にします。

特徴と利点


• 最大89Aの連続ドレイン電流

• 最大ドレイン・ソース間電圧75V

• 動作温度 +175°Cまでの熱安定性

• 9.4mΩの低Rds(on)で電力損失を低減

• 素早い切り替え能力でシステムの応答性を向上

• 最適運転のためのエンハンスメント・モード装置

用途


• 効率的なエネルギー変換のために電源回路に使用される

• 自動車および産業用システムのモーター制御に採用

• DC-DCコンバータおよびスイッチング・レギュレータに最適

• 電子機器の高周波スイッチングに適用可能

• 様々な電気系統の過負荷保護に活用

この部品が扱えるゲート・ソース間電圧の最大値は？


最大±20Vのゲート・ソース間電圧に対応し、多様な制御信号との互換性を確保している。

この部品の高温下での性能は？


最高使用温度は+175℃で、高温環境でも安定した機能を維持し、このような用途に適している。

低オン抵抗機能の目的は何ですか？


低オン抵抗は発熱を最小限に抑え、大電流アプリケーションで重要な動作中の効率を高める。

表面実装とスルーホールの両方で使用できますか？


このデバイスは、D2PAKパッケージの表面実装技術用に特別に設計されており、スペースと熱性能を最適化しています。

スイッチング速度はシステム設計にどのようなメリットをもたらすのか？


高速スイッチングにより、システム全体の効率が向上し、電源管理ソリューションの高周波動作が容易になるため、コンパクトな設計が可能になる。

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