Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 100 V, 59 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-263, IRF3710ZSTRLPBF

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梱包形態
RS品番:
162-3302
メーカー型番:
IRF3710ZSTRLPBF
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

59A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

100V

パッケージ型式

TO-263

シリーズ

IRF3710ZS

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

18mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

順方向電圧 Vf

1.3V

最大許容損失Pd

160W

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

82nC

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

動作温度 Max

175°C

高さ

4.83mm

幅

9.65 mm

長さ

10.67mm

規格 / 承認

No

自動車規格

AEC-Q101

このHEXFET®パワーMOSFETでは、最新のプロセス技術を活かし、シリコン面積当たりのオン抵抗を極めて低く抑えています。他にも、ジャンクション動作温度175 °C、高速スイッチング、向上した反復アバランシェ定格といった特長があります。こうした特長が相まって、幅広い用途に使用できる、効率と信頼性の極めて高いデバイスとなっています。

先進のプロセス技術

超低ON抵抗

動的dv/dt定格

動作温度: 175 °C

高速スイッチング

反復アバランシェはTjmaxまで許容

無鉛

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