STMicroelectronics MOSFET, タイプPチャンネル 60 V, 3 A エンハンスメント型, 表面, 4-Pin パッケージSOT-223, STN3P6F6

ボリュームディスカウント対象商品

1 袋(1袋10個入り) 小計:*

¥717.00

(税抜)

¥788.70

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫あり
  • 2,530 2025年12月29日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
単価
購入単位毎合計*
10 - 190¥71.70¥717
200 - 1890¥68.50¥685
1900 - 2490¥65.30¥653
2500 - 3190¥62.00¥620
3200 +¥58.80¥588

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

梱包形態
RS品番:
877-2949
メーカー型番:
STN3P6F6
メーカー/ブランド名:
STMicroelectronics
製品情報(複数選択可)を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

STMicroelectronics

チャンネルタイプ

タイプP

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

3A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

60V

パッケージ型式

SOT-223

シリーズ

STripFET

取付タイプ

表面

ピン数

4

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

160mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

順方向電圧 Vf

-1.1V

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

6.4nC

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

2.6W

動作温度 Max

175°C

高さ

1.8mm

規格 / 承認

No

3.7 mm

長さ

6.7mm

自動車規格

なし

COO(原産国):
CN

STMicroelectronics P チャンネル STripFET ™パワー MOSFET


幅広い耐圧範囲を持つSTripFET™ MOSFETは、超低ゲート電荷、低オン抵抗を実現しています。

MOSFETトランジスタ、STMicroelectronics


関連ページ