STMicroelectronics Pチャンネル MOSFET60 V 3 A 表面実装 パッケージSOT-223 3 ピン
- RS品番:
- 877-2949
- メーカー型番:
- STN3P6F6
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
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単価： 購入単位は10個
￥138.30
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(税込)
| 個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
| 10 - 190 | ￥138.30 | ￥1,383.00 |
| 200 - 1890 | ￥134.30 | ￥1,343.00 |
| 1900 - 2490 | ￥105.40 | ￥1,054.00 |
| 2500 - 3190 | ￥91.00 | ￥910.00 |
| 3200 + | ￥76.60 | ￥766.00 |
| * 購入単位ごとの価格 | ||
- RS品番:
- 877-2949
- メーカー型番:
- STN3P6F6
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
その他
- COO（原産国）:
- CN
詳細情報
STMicroelectronics P チャンネル STripFET ™パワー MOSFET
幅広い耐圧範囲を持つSTripFET™ MOSFETは、超低ゲート電荷、低オン抵抗を実現しています。
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
MOSFETトランジスタ、STMicroelectronics
仕様
特性 | |
|---|---|
| チャンネルタイプ | P |
| 最大連続ドレイン電流 | 3 A |
| 最大ドレイン-ソース間電圧 | 60 V |
| パッケージタイプ | SOT-223 |
| シリーズ | STripFET |
| 実装タイプ | 表面実装 |
| ピン数 | 3 |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗 | 160 mΩ |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 |
| 最大ゲートしきい値電圧 | 4V |
| 最低ゲートしきい値電圧 | 2V |
| 最大パワー消費 | 2.6 W |
| トランジスタ構成 | シングル |
| 最大ゲート-ソース間電圧 | -20 V, +20 V |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 1 |
| 動作温度 Max | +175 °C |
| 長さ | 6.7mm |
| 幅 | 3.7mm |
| トランジスタ素材 | Si |
| 標準ゲートチャージ @ Vgs | 6.4 nC @ 10 V |
| 高さ | 1.8mm |
| 順方向ダイオード電圧 | 1.1V |
| 動作温度 Min | -55 °C |
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