- RS品番:
- 879-3325
- メーカー型番:
- IRFP7718PBF
- メーカー/ブランド名:
- Infineon
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6 - 10 | ¥914.50 | ¥1,829.00 |
12 - 14 | ¥721.50 | ¥1,443.00 |
16 - 18 | ¥625.50 | ¥1,251.00 |
20 + | ¥528.50 | ¥1,057.00 |
* 購入単位ごとの価格 |
- RS品番:
- 879-3325
- メーカー型番:
- IRFP7718PBF
- メーカー/ブランド名:
- Infineon
その他
詳細情報
Infineon NチャンネルパワーMOSFET 60 → 80 V
Infineon のディスクリート HEXFET ® パワー MOSFET 製品には、リード付き表面実装パッケージに収容された N チャンネルデバイスが含まれています。ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタも用意されています。抵抗値範囲全体のベンチマークで導電損失を低減させます。これにより最大限のシステム効率を実現します。
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
MOSFETトランジスタ、Infineon
Infineonでは、CoolMOS、OptiMOS、StrongIRFETの各ファミリをはじめ、MOSFETデバイスの幅広く包括的な製品ラインを取り揃えています。効率、電力密度、及びコスト効果を高めるためにクラス最高の性能を実現しています。高い品質と強化された保護機能が求められる設計では、AEC-Q101車載用規格に適合するMOSFETが活用されます。
仕様
特性 | |
---|---|
チャンネルタイプ | N |
最大連続ドレイン電流 | 355 A |
最大ドレイン-ソース間電圧 | 75 V |
パッケージタイプ | TO-247 |
シリーズ | HEXFET |
実装タイプ | スルーホール |
ピン数 | 3 |
最大ドレイン-ソース間抵抗 | 1.8 mΩ |
チャンネルモード | エンハンスメント型 |
最大ゲートしきい値電圧 | 3.7V |
最低ゲートしきい値電圧 | 2.1V |
最大パワー消費 | 517 W |
トランジスタ構成 | シングル |
最大ゲート-ソース間電圧 | -20 V, +20 V |
1チップ当たりのエレメント数 | 1 |
長さ | 15.87mm |
標準ゲートチャージ @ Vgs | 552 nC @ 10 V |
幅 | 5.31mm |
動作温度 Max | +175 °C |
トランジスタ素材 | Si |
順方向ダイオード電圧 | 1.3V |
高さ | 20.7mm |
動作温度 Min | -55 °C |
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