Infineon パワーMOSFET, タイプNチャンネル 75 V, 355 A エンハンスメント型, スルーホール, 3-Pin パッケージTO-247, IRFP7718PBF

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RS品番:
879-3325
メーカー型番:
IRFP7718PBF
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

パワーMOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

355A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

75V

パッケージ型式

TO-247

シリーズ

HEXFET

取付タイプ

スルーホール

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

1.8mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

552nC

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

517W

最大ゲートソース電圧Vgs

±20 V

順方向電圧 Vf

1.3V

動作温度 Max

175°C

長さ

15.87mm

幅

5.31 mm

高さ

20.7mm

規格 / 承認

Lead-Free, RoHS

自動車規格

なし

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。


Infineon NチャンネルパワーMOSFET 60 → 80 V


Infineon のディスクリート HEXFET ® パワー MOSFET 製品には、リード付き表面実装パッケージに収容された N チャンネルデバイスが含まれています。ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタも用意されています。抵抗値範囲全体のベンチマークで導電損失を低減させます。これにより最大限のシステム効率を実現します。

MOSFETトランジスタ、Infineon


Infineonでは、CoolMOS、OptiMOS、StrongIRFETの各ファミリをはじめ、MOSFETデバイスの幅広く包括的な製品ラインを取り揃えています。効率、電力密度、及びコスト効果を高めるためにクラス最高の性能を実現しています。高い品質と強化された保護機能が求められる設計では、AEC-Q101車載用規格に適合するMOSFETが活用されます。

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