Infineon パワーMOSFET, Nチャンネル, 75 V, 355 A, 1.8 mΩ, 552 nC, 3ピン, パッケージ:TO-247

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梱包形態
RS品番:
879-3325
メーカー型番:
IRFP7718PBF
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

パワーMOSFET

チャンネルタイプ

N

最大連続ドレイン電流Id

355A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

75V

シリーズ

HEXFET

パッケージ型式

TO-247

取付タイプ

スルーホール

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

1.8mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大許容損失Pd

517W

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

552nC

最大ゲートソース電圧Vgs

-20V, +20V

順方向電圧 Vf

1.3V

動作温度 Max

175°C

長さ

15.87mm

規格 / 承認

Lead-Free, RoHS

幅

5.31mm

高さ

20.7mm

自動車規格

なし

N-Channel Power MOSFET 60V to 80V, Infineon


The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range Benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

MOSFET Transistors, Infineon


Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

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