型番

2 DiodesZetex パワーMOSFET 分離式, タイプNチャンネル, 280 mA, 表面 60 V, 6-Pin エンハンスメント型, 2N7002VC-7 パッケージSOT-563

RS品番:: 885-5362
メーカー型番:: 2N7002VC-7
メーカー/ブランド名:: DiodesZetex

2 DiodesZetex パワーMOSFET 分離式, タイプNチャンネル, 280 mA, 表面 60 V, 6-Pin エンハンスメント型, 2N7002VC-7 パッケージSOT-563

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RS品番:: 885-5362
メーカー型番:: 2N7002VC-7
メーカー/ブランド名:: DiodesZetex

仕様

データシート

その他

詳細情報

製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	DiodesZetex
	チャンネルタイプ	タイプN
	プロダクトタイプ	パワーMOSFET
	最大連続ドレイン電流Id	280mA
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	60V
	パッケージ型式	SOT-563
	取付タイプ	表面
	ピン数	6
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	13.5Ω
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	動作温度 Min	150°C
	最大ゲートソース電圧Vgs	40 V
	最大許容損失Pd	150mW
	トランジスタ構成	分離式
	動作温度 Max	-55°C
	幅	1.25 mm
	長さ	1.7mm
	高さ	0.6mm
	規格 / 承認	AEC-Q101 S, UL 94V-0, MIL-STD-202, J-STD-020, RoHS
	1チップ当たりのエレメント数	2
	自動車規格	AEC-Q101

	すべて選択
	ブランド DiodesZetex
	チャンネルタイプタイプN
	プロダクトタイプパワーMOSFET
	最大連続ドレイン電流Id 280mA
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 60V
	パッケージ型式 SOT-563
	取付タイプ表面
	ピン数 6
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 13.5Ω
	チャンネルモードエンハンスメント型
	動作温度 Min 150°C
	最大ゲートソース電圧Vgs 40 V
	最大許容損失Pd 150mW
	トランジスタ構成分離式
	動作温度 Max -55°C
	幅 1.25 mm
	長さ 1.7mm
	高さ 0.6mm
	規格 / 承認 AEC-Q101 S, UL 94V-0, MIL-STD-202, J-STD-020, RoHS
	1チップ当たりのエレメント数 2
	自動車規格 AEC-Q101

2 DiodesZetex パワーMOSFET 分離式, タイプNチャンネル, 280 mA, 表面 60 V, 6-Pin エンハンスメント型, 2N7002VC-7 パッケージSOT-563

￥3,000円を超える注文については、送料無料

デュアルNチャンネルMOSFET、Diodes Inc.

MOSFETトランジスタ、Diodes Inc.

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