型番

2 DiodesZetex パワーMOSFET 分離式, タイプP, タイプNチャンネル, 620 mA, 表面 60 V, 6-Pin エンハンスメント型, DMG1029SV-7 パッケージSOT-563

RS品番:: 822-2523
メーカー型番:: DMG1029SV-7
メーカー/ブランド名:: DiodesZetex

2 DiodesZetex パワーMOSFET 分離式, タイプP, タイプNチャンネル, 620 mA, 表面 60 V, 6-Pin エンハンスメント型, DMG1029SV-7 パッケージSOT-563

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RS品番:: 822-2523
メーカー型番:: DMG1029SV-7
メーカー/ブランド名:: DiodesZetex

仕様

データシート

その他

詳細情報

製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	DiodesZetex
	プロダクトタイプ	パワーMOSFET
	チャンネルタイプ	タイプP, タイプN
	最大連続ドレイン電流Id	620mA
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	60V
	パッケージ型式	SOT-563
	取付タイプ	表面
	ピン数	6
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	6Ω
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	順方向電圧 Vf	1.4V
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	0.3nC
	動作温度 Min	150°C
	最大許容損失Pd	1W
	最大ゲートソース電圧Vgs	20 V
	トランジスタ構成	分離式
	動作温度 Max	-55°C
	長さ	1.7mm
	規格 / 承認	J-STD-020, MIL-STD-202, AEC-Q101, RoHS, UL 94V-0
	高さ	0.6mm
	幅	1.25 mm
	1チップ当たりのエレメント数	2
	自動車規格	AEC-Q101

	すべて選択
	ブランド DiodesZetex
	プロダクトタイプパワーMOSFET
	チャンネルタイプタイプP, タイプN
	最大連続ドレイン電流Id 620mA
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 60V
	パッケージ型式 SOT-563
	取付タイプ表面
	ピン数 6
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 6Ω
	チャンネルモードエンハンスメント型
	順方向電圧 Vf 1.4V
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 0.3nC
	動作温度 Min 150°C
	最大許容損失Pd 1W
	最大ゲートソース電圧Vgs 20 V
	トランジスタ構成分離式
	動作温度 Max -55°C
	長さ 1.7mm
	規格 / 承認 J-STD-020, MIL-STD-202, AEC-Q101, RoHS, UL 94V-0
	高さ 0.6mm
	幅 1.25 mm
	1チップ当たりのエレメント数 2
	自動車規格 AEC-Q101

2 DiodesZetex パワーMOSFET 分離式, タイプP, タイプNチャンネル, 620 mA, 表面 60 V, 6-Pin エンハンスメント型, DMG1029SV-7 パッケージSOT-563

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受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。

デュアルN/PチャンネルMOSFET、Diodes Inc.

MOSFETトランジスタ、Diodes Inc.

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