DiodesZetex N, Pチャンネル MOSFET60 V 280 mA, 620 mA 表面実装 パッケージSOT-563 6 ピン
- RS品番:
- 822-2523
- メーカー型番:
- DMG1029SV-7
- メーカー/ブランド名:
- DiodesZetex
29100 海外在庫あり - 通常4営業日でお届け
単価： 購入単位は50個
￥51.12
(税抜)
￥56.23
(税込)
個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 50 - 100 | ￥51.12 | ￥2,556.00 |
| 150 - 1200 | ￥49.62 | ￥2,481.00 |
| 1250 - 1450 | ￥35.64 | ￥1,782.00 |
| 1500 - 2450 | ￥28.66 | ￥1,433.00 |
| 2500 + | ￥21.66 | ￥1,083.00 |
* 購入単位ごとの価格
- RS品番:
- 822-2523
- メーカー型番:
- DMG1029SV-7
- メーカー/ブランド名:
- DiodesZetex
データシート
その他
詳細情報
デュアルN/PチャンネルMOSFET、Diodes Inc.
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
MOSFETトランジスタ、Diodes Inc.
仕様
特性 | |
|---|---|
| チャンネルタイプ | N, P |
| 最大連続ドレイン電流 | 280 mA, 620 mA |
| 最大ドレイン-ソース間電圧 | 60 V |
| パッケージタイプ | SOT-563 |
| 実装タイプ | 表面実装 |
| ピン数 | 6 |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗 | 1.7 Ω, 6 Ω |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 |
| 最大ゲートしきい値電圧 | 3V |
| 最大パワー消費 | 1 W |
| トランジスタ構成 | 絶縁型 |
| 最大ゲート-ソース間電圧 | -20 V, +20 V |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 2 |
| 長さ | 1.7mm |
| 動作温度 Max | +150 °C |
| トランジスタ素材 | Si |
| 幅 | 1.25mm |
| 標準ゲートチャージ @ Vgs | 0.28 nC @ 4.5 V、0.3 nC @ 4.5 V |
| 高さ | 0.6mm |
| 動作温度 Min | -55 °C |
関連ページ
- DiodesZetex N, Pチャンネル MOSFET60 V 280 mA, 620 mA 表面実装 パッケージSOT-563 6 ピン
- DiodesZetex N, Pチャンネル MOSFET20 V 2.1 A、5.2 A 表面実装 パッケージTSOT-26 6 ピン
- DiodesZetex N, Pチャンネル MOSFET20 V 1 A, 840 mA 表面実装 パッケージSOT-363 6 ピン
- DiodesZetex N, Pチャンネル MOSFET30 V 4.6 A、3.3 A 表面実装 パッケージTSOT-26 6 ピン
- DiodesZetex N, Pチャンネル MOSFET20 V 4 A、3.3 A 表面実装 パッケージTSOT-26 6 ピン
- DiodesZetex N, Pチャンネル MOSFET20 V 190 mA, 520 mA 表面実装 パッケージSOT-963 6 ピン
- DiodesZetex N, Pチャンネル MOSFET30 V 2 A、4.5 A 表面実装 パッケージTSOT-26 6 ピン
- DiodesZetex N, Pチャンネル MOSFET30 V 15 A、21 A 表面実装 パッケージPDI3333 8 ピン