Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 40 V, 70 A エンハンスメント型, スルーホール, 3-Pin パッケージTO-220

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RS品番:
892-2346
メーカー型番:
IPP048N04NGXKSA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

70A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

40V

パッケージ型式

TO-220

シリーズ

OptiMOS 3

取付タイプ

スルーホール

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

4.8mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

31nC

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

79W

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

順方向電圧 Vf

0.89V

動作温度 Max

175°C

長さ

10.36mm

幅

4.572 mm

高さ

15.95mm

規格 / 承認

No

自動車規格

なし

Infineon OptiMOS™ 3シリーズ MOSFET、最大連続ドレイン電流70A、最大許容損失79W - IPP048N04NGXKSA1


このMOSFETは、様々な電子システムにおいて重要な部品として機能する、高効率の電力用途向けです。低オン抵抗と大幅な電力消費能力により、厳しい環境でも安定した性能を発揮します。

特徴と利点


• 最大70Aの連続ドレイン電流に対応

• 最大ドレイン・ソース間電圧40Vで幅広い用途に対応

• シングル・エンハンスメント・モード設計で動作効率を向上

• 最大ドレイン・ソース間抵抗が4.8mΩと低く、発熱を最小限に抑制

• 79Wの放熱能力で熱管理を最適化

• ゲート電圧スイングが-20Vから+20Vまで対応し、ゲートドライブの汎用性が向上

用途


• オートメーションシステムの電源回路

• モータ速度制御 産業環境

• 効率的なエネルギー管理のための電力変換器

• 効果的な電力処理のための再生可能エネルギー・システム

• 大電流スイッチ エレクトロニクス

この部品の動作温度範囲は？


動作温度範囲は-55 °C～+175 °Cで、さまざまな条件下で効果的な動作を保証する。

並列構成で使用できますか？


適切な熱管理が行われていれば、電流処理を強化するために並列使用することは可能です。

最適なパフォーマンスを発揮するための推奨ゲートドライブレベルは？


最適な性能を得るためには、ゲートを10Vから20Vの間で駆動し、ゲートの最大スレッショルド制限を守ることを推奨する。

このデバイスを使用するアプリケーションでは、放熱はどのように管理されますか？


適切なヒートシンクを使用し、適切なPCBレイアウトを確保することで、放熱を効果的に管理することができる。

Infineon OptiMOS™3パワーMOSFET、最大40 V


OptiMOS™製品は、最も困難な用途にも対応できるよう高性能なパッケージに収納されています。このため、限られたスペースで最大限に柔軟性を発揮できます。 これらのInfineon製品は、コンピューティング用途における次世代の厳しい電圧調整規格のエネルギー効率と電力密度の要件に適合し、上回るように設計されています。

高速スイッチングMOSFET、SMPS用

DC/DCコンバータ用に最適化された技術

対象用途に対してJEDEC1に適合

Nチャンネル、ロジックレベル

優れたゲート電荷量 x R DS(on)製品(FOM)

超低オン抵抗 R DS(on)

鉛フリーめっき

MOSFETトランジスタ、Infineon


Infineonでは、CoolMOS、OptiMOS、StrongIRFETの各ファミリをはじめ、MOSFETデバイスの幅広く包括的な製品ラインを取り揃えています。効率、電力密度、及びコスト効果を高めるためにクラス最高の性能を実現しています。高い品質と強化された保護機能が求められる設計では、AEC-Q101車載用規格に適合するMOSFETが活用されます。

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