Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 40 V, 70 A N, スルーホール, 3-Pin パッケージTO-220

MOSFET・モスフェット の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品

1 本(1本50個入り) 小計：*

￥7,210.00

(税抜)

￥7,931.00

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫あり
  • 100 は 2026年1月05日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個
単価
1チューブあたりの価格*
50 - 200￥144.20￥7,210
250 - 450￥141.08￥7,054
500 - 1200￥133.32￥6,666
1250 - 2450￥129.38￥6,469
2500 +￥126.28￥6,314

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

RS品番:
214-4349
メーカー型番:
IPA041N04NGXKSA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

70A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

40V

パッケージ型式

TO-220

シリーズ

OptiMOS 3

取付タイプ

スルーホール

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

4.1mΩ

チャンネルモード

N

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

最大許容損失Pd

35W

順方向電圧 Vf

1.2V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

42nC

動作温度 Max

175°C

長さ

10.68mm

規格 / 承認

No

幅

16.15 mm

高さ

4.85mm

自動車規格

なし

Infineon の OptiMOS 3 MOSFET は、業界最低レベルの R DS （ on ）を実現するだけでなく、高速スイッチング用途に最適Advanced Thin ウエハー技術により、代替デバイスと比較して、 R DS （ on ）の 15 % 低減と性能指数（ R DS （ on ） x Q g ）の 31 % 低減を実現しています。

Infineon の OptiMOS 3 MOSFET は、業界最低レベルの R DS （ on ）を実現するだけでなく、高速スイッチング用途に最適Advanced Thin ウエハー技術により、代替デバイスと比較して、 R DS （ on ）の 15 % 低減と性能指数（ R DS （ on ） x Q g ）の 31 % 低減を実現しています。

IEC61249-2-21 に準拠したハロゲンフリーです

IEC61249-2-21 に準拠したハロゲンフリーです

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。

関連ページ