Toshiba MOSFET, Nチャンネル, 9.7 A, 表面実装, 3 ピン, TK10P60W,RVQ(S
- RS品番:
- 896-2640
- メーカー型番:
- TK10P60W,RVQ(S
- メーカー/ブランド名:
- Toshiba
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|---|---|---|
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| 125 - 1245 | ￥123.20 | ￥616 |
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| 2500 - 4995 | ￥85.80 | ￥429 |
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- RS品番:
- 896-2640
- メーカー型番:
- TK10P60W,RVQ(S
- メーカー/ブランド名:
- Toshiba
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Toshiba | |
| チャンネルタイプ | N | |
| 最大連続ドレイン電流 | 9.7 A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧 | 600 V | |
| パッケージタイプ | DPAK (TO-252) | |
| シリーズ | TK | |
| 実装タイプ | 表面実装 | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗 | 430 mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大ゲートしきい値電圧 | 3.7V | |
| 最大パワー消費 | 80 W | |
| トランジスタ構成 | シングル | |
| 最大ゲート-ソース間電圧 | -30 V, +30 V | |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 1 | |
| 幅 | 7.18mm | |
| 標準ゲートチャージ @ Vgs | 20 nC @ 10 V | |
| 長さ | 6.6mm | |
| トランジスタ素材 | Si | |
| 動作温度 Max | +150 °C | |
| 高さ | 2.3mm | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Toshiba | ||
チャンネルタイプ N | ||
最大連続ドレイン電流 9.7 A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧 600 V | ||
パッケージタイプ DPAK (TO-252) | ||
シリーズ TK | ||
実装タイプ 表面実装 | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗 430 mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大ゲートしきい値電圧 3.7V | ||
最大パワー消費 80 W | ||
トランジスタ構成 シングル | ||
最大ゲート-ソース間電圧 -30 V, +30 V | ||
1チップ当たりのエレメント数 1 | ||
幅 7.18mm | ||
標準ゲートチャージ @ Vgs 20 nC @ 10 V | ||
長さ 6.6mm | ||
トランジスタ素材 Si | ||
動作温度 Max +150 °C | ||
高さ 2.3mm | ||
- COO（原産国）:
- CN
MOSFETトランジスタ、東芝