Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 600 V, 33 A エンハンスメント型, スルーホール, 3-Pin パッケージTO-247, SiHG33N60EF-GE3

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梱包形態
RS品番:
903-4484
メーカー型番:
SiHG33N60EF-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

33A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

600V

シリーズ

EF

パッケージ型式

TO-247

取付タイプ

スルーホール

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

98mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

順方向電圧 Vf

1.2V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

103nC

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

30 V

最大許容損失Pd

278W

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

No

長さ

15.87mm

高さ

20.82mm

幅

5.31 mm

自動車規格

なし

COO（原産国）:
CN

NチャンネルMOSFET (高速ダイオード搭載)、EFシリーズ、Vishay Semiconductor


逆回復時間、逆回復電荷、及び逆回復電流を低減

低性能指数(FOM)

低入力静電容量(Ciss)

低逆回復電荷により堅牢性を向上

超低ゲート電荷(Qg)

MOSFETトランジスタ、Vishay Semiconductor


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