Vishay MOSFET, Nチャンネル, 600 V, 21 A, 0.159 Ω, 38 nC, 3ピン, パッケージ:TO-247AC

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梱包形態
RS品番:
279-9912
メーカー型番:
SIHG155N60EF-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

チャンネルタイプ

N

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

21A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

600V

シリーズ

SIHG

パッケージ型式

TO-247AC

取付タイプ

スルーホール

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.159Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

38nC

最大許容損失Pd

179W

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

30V

順方向電圧 Vf

1.2V

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

RoHS

長さ

15.7mm

自動車規格

なし

Vishay SIHGシリーズMOSFET、最大ドレインソース電圧600 V、最大連続ドレイン電流21 A - SIHG155N60EF-GE3


このMOSFETは、要求の厳しい電子システムにおける電力変換および制御用に設計された高電圧スイッチングトランジスタです。TO-247ACパッケージでスルーホール実装を目的としたNチャンネル強化デバイスとして動作し、産業および実験室環境向けの幅広い温度範囲で堅牢な電気性能を発揮します。

特長:


• ドレイン定格電圧 600V により、高電圧スイッチング用途に対応
• 21Aの連続ドレイン電流により、大幅な負荷駆動をサポート
• 0.159 Ωの低Rds(on)により、導通損失を低減
• 179 Wの消費電力により、高出力動作が可能
• 38 nCの標準ゲート充電により、スイッチング速度制御を向上
• 30Vゲート・ソース・リミットにより、一般的な駆動電圧との互換性を確保

用途


• 産業機器のスイッチモード電源に最適
• 高電圧モータードライブおよびインバーターに最適
• 大規模システムの力率補正モジュールに使用
• 高出力オーディオ増幅スイッチングステージに使用可能
• 実験室のパワーエレクトロニクスプロトタイピングに最適

動作時の許容温度範囲はどのくらいですか?


-55°C~150°Cで動作し、低温試験と高温条件の両方で使用できます。

ハードウェアへの取り付けと接続方法


このデバイスは、標準基板またはヒートシンクアタッチメント用の3本のピンを備えたスルーホールTO-247ACパッケージで提供されます。

どのようなチャンネルおよび導通モードを採用していますか?


エンハンスメントモードで動作するNタイプチャンネルを使用し、導通にはポジティブゲートドライブが必要です。

このコンポーネントには、特定の認証基準が記載されていますか?


特定の有害物質の制限を示すRoHS要件に準拠しています。

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